-------
Ok. Ten eerste, de grove fout in het schema is, is dat de FET geen enkele belasting heeft. De enige weg naar massa vanuit de source (pootje dat op de zelfde hoogte als de gate, pootje met pijl, zit) naar de massa is door voltmeter U1. Die's 10MOhm. Wat die meet, is de open klem spanning van de Source van de FET.
Nu de werking van die fets:
D'r zijn kwa werking 3 soorten FETS: JFETs, Enhancement FETs en Depletion FETs. JFETs en Depletion FETs zijn qua werking gelijk, alleen dan dat JFETs doorgaans voor klein signaal is, zijn ook kleinde dingetjes. Voorbeeldje: BF245C. Depletion FETs zijn doorgaans "Power" FETs, bedoeld voor hoog vermogen. Enhancement FETS zijn doorgaans ook "Power" FETs.
Dus uiteindelijk hebben we twee soorten werkingen: Enhancement en Depletion.
Wat feiten om de zaak te snappen:
- De Source is de gemeenschappelijke aansluiting.
- De spanning op de Gate regelt de geleidbaarheid van de FET
- Via de Drain loopt stroom naar de Source, grootte afhankelijk van de geleidbaarheid.
- FETs hebben een "knelpunt": De spanning waarop de fet nog dicht zit, maar op het punt staat open te gaan.
Wel dan:
Bij een Enhancement FET ligt het knelpunt rond de 0.5 ~ 4V, afhankelijk van het specifieke model. Dit betekent, dat de spanning op de gate hoger dan 0.5 - 4V moet zijn om 'em te laten gaan geleiden. Hoe hoger de spanning, des te beter gaat 'ie geleiden.
Bij een Depletion / J-FET ligt het knelpunt rond de -3 ~ -8V, iedem, afhankelijk van het model. Dus, om'm dicht te houden, moet de Gate 3 - 8V lager zijn dan de Source. Hoe hoger de spanning tussen Gate en Source, des te beter gaat 'ie geleiden. Hetzelfde als bij een Enhancement FET.
Het verschil? Bij Enhancement ligt het knelpunt boven 0. Bij Depletion / JFET ligt het knelpunt onder 0. Als je de Gate en Source aan elkaar zou knopen, geleidt 'ie dus al behoorlijk. Enhancement FETs zitten dan dicht.
Het is wel een hele mooie post.
