Fairchild Semiconductor introduceert drie nieuwe 60 V N-Channel trench MOSFET's, speciaal ontworpen voor toepassingen in de automobielindustrie, zoals ABS- en injectiesystemen.

De drie nieuwe MOSFET's hebben de type-aanduidingen FDB035AN06A0, FDP038AN06A0 en FDD10AN06A0 gekregen. Het zijn de eerste 60 V examplaren van de PowerTrench-serie van Fairchild. De PowerTrench technologie zorgt voor een lage R_DS(on) waarde. De R_DS(on) van de FDB035AN06A0 bedraagt slechts 3,5 mΩ. Hierdoor is het niet meer nodig om meerdere MOSFET's parallel te schakelen om een lage weerstand te krijgen.

Volgens Fairchild zijn meer MOSFET's van de PowerTrench serie in de maak. Andere 60 V, 100 V en 150 V types van de serie zijn gepland.