Thermische weerstand junction to case is 0.6 Graden per Watt.
Thermische weerstand Case to Sink is 0.24 voor TO247 en 0.50 voor TO220.
Samen dus al 0.9 voor de IRFP250 en 1.1 voor de HUF.
Stel de Heatsink op ook 2 graden per watt. Dus totaal ongeveer 3 graden per watt.
Dus als je wilt werken met een omgeving temp van 20 graden en je wilt de transistor onder de 120 graden houden, dan kun je max 100/3 = 33 Watt per transistor wegstoken.
Bij 24 Volt dus niet meer dan 1.5A per transistor!
Bij 50 Volt zelfs niet meer dan 750 mA.
Dus 24V 20A gaat niet lukken met 10 transistors
Bij een oneindige koelplaat die altijd 25 graden blijft (gaat alleen lukken met speciale koel apparatuur), dan nog blijf je de 1 graad/watt van de transistor houden, dus max 100 Watt per transistor.
Dat geldt voor elke transistor, FET, BJT maakt niet uit. Dus bij langdurig wegstoken van grote vermogens kom je niet eens in de buurt van de limieten in de Safe Operating Area.
De IRFP250 heeft een steilheid van 12 Ampere per Volt. Die is redelijk constant. Dat betekent dat de gate-source spanning niet meer dan 100 mV verandert bij aansturing van 0 A tot de max van 1.5A.
De HUF is nog veel steiler, dus grotere versterking, dus moeilijker stabiel te houden. Ideaal voor schakel toepassingen, maar niet handig bij gebruik in het lineaire gebied. Bovendien is de steilheid sterk afhankelijk van Drain stroom, zodanig dat de steilheid niet eens is vermeld in de datasheet (is ook niet interessant voor schakel toepassingen).
RdsOn is totaal niet relevant in deze toepassing. Als de Fet 1.5A moet doorlaten op 24 Volt, dan heeft de Fet dus op dat moment een weerstand van 12 Ohm. In alle andere instellingen wordt de feitelijke weerstand alleen maar groter.