Dit is hoe dan ook een slechte constructie; met die P-channel MOSFETs mag de gate niet meer dan 20V onder de source komen, en terwijl de ingangsspanning 12-30V mag zijn. Om bij die 30V ingangsspanning een te groot verschil tussen de gate en source te voorkomen, hebben ze daar maar wat weerstanden tussen geprutst; met 220R en 1k krijg je ongeveer 20% van de voedingspanning op de gate, dus ongeveer 2.5V met 12V op de ingang, en 6V met 30V op de ingang.
2.5V is niet genoeg om die MOSFET open te sturen, en met 6V zit je net voorbij het Miller plateau, dus dan zijn ze wel redelijk aan, maar de Rdson is nog best hoog.
R8 doet m.i. sowieso weinig zinnigs; hij kan hooguit de gate van de MOSFETs de laatste 0.7V (spanningsval over een transistor in emitter-volger mode) omlaag trekken, zodat de Rdson iets lager wordt, maar als de rest van de constructie goed was, zou dat helemaal niet nodig zijn.
Toch is de constructie niet helemaal verloren; met een ingangsspanning van 12-15V kun je R7 560 ohm of groter maken (met een 0.25W weerstand), en zou het allemaal moeten werken. Een ingangsspanning lager dan ongeveer 8V gaat gewoon niet, omdat je die MOSFETs dan niet goed open krijgt, en als je de ingangsspanning hoger wilt maken van 15V, zul je de gates van de MOSFETs moeten beschermen.
In dat geval zou ik een zenerdiode van 12-15V parallel zetten aan R7, en zowel R7 als R9 560 ohm of groter maken, bij 15V R7 nog iets groter dan R9, anders mogen ze gelijk zijn. Het lastige is dat je die weerstanden niet al te groot kunt maken, omdat de versterking van die BD139/140 niet bijzonder hoog is (min. 40x bij 150mA, volgens mijn datasheet).
Nu ik dit schrijf en zelf nakijk…..