N channel mosfets in darlington

Hoi!
Is het mogelijk om n channel mosfets in darlington te zetten ? Zo ja, hoe doe ik dit? Ik kan er nergens iets over vinden. Alleen maar transistoren in darlington. Zal vast een reden hebben?

Meestal gebruik je Darlington alleen om de versterkingsfactor op te voeren, da's bij een mosfet niet zo interessant...

Arco - "Simplicity is a prerequisite for reliability" - hard en software ontwikkeling: www.arcovox.com

Ha Christiaan371,

Interessante vraag maar ik geloof niet dat er een voordeel in zit de ingang impedantie is al hoog.
De hfe ( β ) is al ontzettend hoog dat is de reden om een BJT in cascade te schakelen !

Groet,
Henk.

Everything should be as simple as possible, but not simpler.

Er is wel een soort van FET met transistor in darlington dat heet een IGBT.

Ja dat kan, maar wordt niet gedaan omdat het vrijwel nutteloos is.

Wat probeer je te bereiken?

De "voorste" mosfet zal in geleiding gaan, de tweede zal rond de gate threshold blijven klooien. Je gaat dan veel meer vermogen in die mosfet verstoken dan wat nodig is.

four NANDS do make a NOR . Kijk ook eens in onze shop: http://www.bitwizard.nl/shop/

Op 19 januari 2021 21:31:29 schreef rew:
De "voorste" mosfet zal in geleiding gaan, de tweede zal rond de gate threshold blijven klooien.

Wat met weerstanden en of zenerdiodes wel weer recht te trekken is. In darlington torren zitten vaak ook weerstanden ingebouwd. Je stuur spanning voor de FET combi moet ook hoger worden en is dan wel weer handig om direct vanuit een 24V PLC te sturen :). Maar verder nutteloos.

Dat komt omdat transistors stroomgestuurd zijn en mosfets spanningsgestuurd.
Denk daar eens over na ;)

LDmicro user.

Als je een BS170 hebt en je wilt daarmee 15A schakelen, dan kan je hem in darlington schakelen met een dikke transistor (betere dan bijv 2N3055).
Hieronder een principeschema. Voor een goede werking kunnen misschien nog wel aanvullende componenten nodig zijn.

code:

Darlington
        +-----+------ +
        |     |
    |---+ d   |
--->|         |
    |---+ s   |
geen    |     |c
BS170   |   |/    geen 
        +---|     2N3055
            |\
              |e
              |
              +------ -

Veel handiger en goedkoper is een IGBT of een zwaardere MOSFET te nemen.

Edit:
Geen 2N3055 en geen BS170, zie opmerkingen hieronder.

Bezoek mijn neefjes' site: www.tinuselectronics.nl

Op 19 januari 2021 20:49:15 schreef Christiaan371:

Is het mogelijk om n channel mosfets in darlington te zetten ? Zo ja, hoe doe ik dit? Ik kan er nergens iets over vinden. Alleen maar transistoren in darlington. Zal vast een reden hebben?

heb je ooit buizen in darlington zien staan? niet dat ik weet en voor fets is het zowat dezelfde reden.

@ohm pi. Dat werk niet echt de Hfe van een 3055 is daar te slecht voor. JE zal toch iets van 1A / 2A in de basis van de 3055 moet duwen of een beter tor vinden.

Op 19 januari 2021 23:48:07 schreef benleentje:
@ohm pi. Dat werk niet echt de Hfe van een 3055 is daar te slecht voor.

dacht ik ook.. Die BS170 gaat "zweten" en daarvoor hoeft de 2N3055 zelfs geen chinees te zijn.....

Lambiek

Special Member

Op 19 januari 2021 20:49:15 schreef Christiaan371:
Is het mogelijk om n channel mosfets in darlington te zetten ?

Dat heeft totaal geen zin. Waarom zou je dat willen?

Parallel zetten kan wel om bijv. een grotere stroom te verwerken.

Als je haar maar goed zit, GROETEN LAMBIEK.

Ha Christiaan371,

Ik kom nog even terug op mijn reactie van gisteren.... voor de hfe zie ik zoals gezegd geen voordeel maar even filosofisch wat je wel bereikt is dat de voedingsspanning heel erg klein kan worden.
Toepassing weet ik niet geen tijd om iets uit te werken maar in de omgeving van batterij gevoede apparaten misschien !

Groet,
Henk.

Everything should be as simple as possible, but not simpler.

Zelfs met een aparte voeding om de grote FET aan te sturen is een "darlington" configuratie niet handig; je moet de gate van die grote FET ook leeg trekken om hem uit te zetten. Dat kun je doen door nog een extra kleine MOSFET toe te voegen, en met een aparte voeding heb je dan gewoon een MOSFET gate driver gemaakt!

@ohm pi: afgezien van het gebruiken van zo'n oude, slechte transistor als de 3055 voor dergelijke stromen (15A is triviaal met een moderne MOSFET), zou er in jouw plaatje ook een onbeperkte basisstroom gaan lopen, dus die BS170 gaat wel stuk!

Een manager is iemand die denkt dat negen vrouwen in één maand een kind kunnen maken

Op 20 januari 2021 10:06:58 schreef SparkyGSX:
zou er in jouw plaatje ook een onbeperkte basisstroom gaan lopen, dus die BS170 gaat wel stuk!

Nee. De BS170 gaat "in verzadiging" en dan blijft er de VBE + RDSON*IB over de tor staan. Hetzelfde als met een gewone darlington. De tor stuur je niet in verzadiging: je stuurt precies genoeg stroom de basis in om hem tot ongeveer 0.6V VCE te krijgen....

four NANDS do make a NOR . Kijk ook eens in onze shop: http://www.bitwizard.nl/shop/
Thevel

Golden Member

En die RDSON is bij een BS170 best wel hoog (max 5Ω)

Op 20 januari 2021 11:20:38 schreef rew:
[...]Nee. De BS170 gaat "in verzadiging" en dan blijft er de VBE + RDSON*IB over de tor staan. Hetzelfde als met een gewone darlington. De tor stuur je niet in verzadiging: je stuurt precies genoeg stroom de basis in om hem tot ongeveer 0.6V VCE te krijgen....

Ah, wacht, die drain spanning komt natuurlijk van de collector, niet direct uit de voeding.

Je krijgt dan wel de Vbe + Vgs van de MOSFET als effectieve drempelspanning, dus aansturen met 3v3 wordt krap, en zelfs met 5V wordt moeilijk omdat je (met een BS170) nog onder het Miller plateau zit, dus die MOSFET is niet goed in geleiding. Hoe dan ook is een flinke MOSFET vrijwel altijd handiger.

Een manager is iemand die denkt dat negen vrouwen in één maand een kind kunnen maken

Gezien de opmerkingen hiervoor kan je beter geen 2N3055 gebruiken.
Zal mijn principeschema daarop aanpassen.
Gezien opmerking van @rew hieronder,
Doe ook maar geen BS170, maar iets moderners.

Bezoek mijn neefjes' site: www.tinuselectronics.nl

Ehh, ja natuurlijk, de BS170 is een tor die je niet wil gebruiken. Iets met 2300 in de naam is al beter... Als je 15A door de NE3055 wil duwen en dan 1A bassisstroom nodig hebt... gaat net.

Je moet je ook realiseren dat je zeker 20% minder de basis in hoeft te sturen zo: Normaliter moet je zeker 20% marge aanhouden boven de "max benodigde basisstroom, maar nu krijg je vanzelf precies de collecotrstroom gedeeld door de versterkingsfactor. Maar goed. De mosfet+BJT bestaat gewoon en noemen ze IGBT.

four NANDS do make a NOR . Kijk ook eens in onze shop: http://www.bitwizard.nl/shop/