Serietor zelfbouw PSU raakt defect..

Op zondag 5 oktober 2025 15:39:10 schreef RAAF12:
Nee, dat is helaas normaal dat kan niet anders door de heel andere opbouw van een FET t.o.v een transistor. Ik stelde ze destijds ook apart per FET in, via een meting, met een aangepaste drain weerstand. Maar dat was in een stereo amp.
Jij wil gewoon bijv. 5 gelijke FET's hebben, dan moeten er veel zijn om een paar (min of meer) gelijke over te houden na de selectie.

Als ik het goed onthouden heb bestaat een fet eigenlijk uit meerdere fets die parallel staan, en dat die aantallen niet gelijk zijn onderling?
Dat verklaard natuurlijk de spreiding, maar had het niet zoveel verwacht.
Beetje spreiding mag wel, met die TME fets zouden 2 al genoeg moeten zijn, dus dat matched wel wat makkelijker.

Op zondag 5 oktober 2025 17:16:25 schreef testman:
een DC voeding van deze spanning is tricky, want je zult maar sluiting maken en er moet ineens 600V bij 700mA verstookt worden, dat is toch 420W minimaal. een evt tabschakeling is niet snel genoeg om ineens terug te schakelen laat staan de elco's niet. heb een 0-65V 0-6A versie van die elektuur 82 voeding gebouwd en dat was al niet simpel, met 3 schakeltrappen van de ringkerntrafo. puur om dissipatie laag te houden.

Ik heb maar 400mA en het ging tot 200mA goed, kortsluiten ca 3x per sec. en dat ca 1 minuut, de trafo die ik heb heeft 4 tappen die ik wel wil gaan gebruiken, en als extra veiligheid wil ik bij volle kortsluiting, en onder een bepaalde spanning, dat alle taps los schakelen, deze voeding wil je toch niet als stroombron gebruiken dus kan dat best.

Op zondag 5 oktober 2025 17:28:29 schreef Martin V:
Bij 40A drainstroom is de drainspanning minimaal, dat is dus de hoogste stroom waarbij de "device" kan schakelen. Maar dat is niet binnen het lineaire gebied, eigenlijk zul je een grafiek moeten tekenen om hierin een lineair verloop uit te kunnen uitlezen.

Ik hou die stroom idd ook alleen aan als max. stroom die die fet aankan, in dit geval zijn die TME fets 12amp volgens de SOA, als ik er dan 2 parallel zet, zit ik op kortsluiting met een serieweerstand van 47ohm op ca 14a, dus dat ligt er nog ruim onder zolang dit binnen de 100uS blijft, binnen die tijd regelt de noodrem het al terug onder, voor deze fet, 350mA.

Op zondag 5 oktober 2025 16:27:20 schreef benleentje:
Er zin toch ook veel schema's waarbij er geen uitgezochte torren of fets nodig zijn. IN het schema van de voeding zorgt een goed berekende drain weerstand er wel voor dat alle fets min of meer gelijke stroom hebben. Maar je moet wel rekening houden met kleine verschillen dus als de fet 340mA bij 800V kan hebben ga dan niet hoger dan 200mA per fet in de berekening.

Dat ga ik zeker doen, bij 700v, wat ik op de gelijkrichter heb, zijn ze bijna 400mA, de voeding doet 400mA, de noodrem zet ik per fet dan op ca 225mA, dus 2 parallel zou voldoende moeten zijn.
En misschien is de test die ik doe wat extreem, ik wil de voeding wel laten afschakelen bij een (bijna) volle kortsluiting.

In halfgeleiders zoals fets, torren en ook IGBT's zorgt de hoge spanning ervoor dat ze minder goed stroom kunnen geleiden. Dat heeft niets met warmte te maken, hoewel met warmte dat wel erger word. Dat minder goed stroom geleiden zorgt er ook voor dat de weerstand hoger word en ze warmer worden. Dit opwarmen gaat dan sneller en dieper in de fet en lijd al snel tot interne schade. Dus het klopt wel dat de fets helemaal niet warm hoeven te zijn.

Het opgegeven vermogen voor halfgeleiders is onder de meest gunstige omstandigheden en met ideale koeling en als het op ca 25°C kan blijven. Maar het werkelijk vermogens zie je beter in de soa. En het werkelijke vermogen wat het aankan hangt ook af van hoe warm het is en als het warm is, is altijd een stuk lager.

De soa geven je een beeld van wat er maximaal mogelijk is onder goede omstandigheden maar het is ook echt een maximum en je moet daar eigenlijk ook ver onder blijven.

Als je bv naar een fet kijken waarvan ze zeggen dat die 40A aankan, is dat een leuk getal in de datasheet maar dat kan je er eigenlijk nooit uithalen of voor hele korte tijd. Die 40A haal je eigenlijk alleen als je de fet op 25°C kan houden en dan kan eigenlijk niet zelfs niet met een heel erg grote koelplaat, dan zou je het met bv een airco moeten koel houden.

Als voorbeeld de voor de wat oudere onder ons de goed bekende 2N3055. Die iets van 15A en 150W aankan voor een TO3 versie. In het ontwerp van voeding die op 50V uitgang spanning zit is de stroom per tor max 1A en ca 50W aan vermogen wat het aankan.
Voor 60V word de stroom dan lager om op die 50W te blijven en voor 30V mag de stroom wat hoger. De spanning is hier nog niet zo hoog dat dat een probleem is.

De 2N3055 ken ik nog wel, heb ik vroegah ook nog eens een voeding mee gebouwd.
Ik weet ongeveer wel hoe het zit met warmte, zoals de terminal runaway van halfgeleiders als je daar geen beveiligingen voor inbouwt, en dat je altijd wat achterloopt op de junction temp, want die warmt natuurlijk veel eerder op dan de case, vind dat wel een lastig dingetje inderdaad en heb ook weinig ervaring in het ontwerpen van power electronica, dus er zal nog wel wat vuurwerk zijn voorlopig in mijn prutshok..
Ik had al wat zitten spelen met die diodes bij de noodrem, als je die opwarmt gaat de noodrem stroom naar beneden dus eigenlijk moeten ze op de koelplaat, of direct op de fets solderen.
Ik let er wel met een schuin oog op in de datasheets, maar ga hier beter naar kijken.

Voor de rest werkt het wel mooi, zowel de stroom en spanningsregeling veroorzaken geen rimpel oid op de uitgang, heb voortdurend de scoop op de uitgang en fet sturing gehad en daarop is alleen maar een vlakke lijn te zien, geen rare dingen niets.
Ook de spanning is zeer stabiel bij in of bij schakelen van belastingen van 400mA en gaat de uitgangsspanning zelfs ca 10mV omhoog, dus waarschijnlijk zal ik de 4 weerstandjes in spanningsmeting rond de eerste opamp ook moeten matchen..

Op zondag 5 oktober 2025 17:28:29 schreef Martin V:
[...]
Dit heeft te maken met de Rdson van de Mosfet, de stroom in kwadraad met de weerstand Rdson tijdens inschakellen. Dat is de dissipatie van de Mosfet. Als je ervoor zorgt dat de Mosfet schakeld bij een zeer lage drainspanning en uitgeschakeld is bij een drainstroom van nul, is de dissipatie van de Mosfet dus minimaal.
Bij 40A drainstroom is de drainspanning minimaal, dat is dus de hoogste stroom waarbij de "device" kan schakelen. Maar dat is niet binnen het lineaire gebied, eigenlijk zul je een grafiek moeten tekenen om hierin een lineair verloop uit te kunnen uitlezen.

Nee ik doelde niet zozeer op de Rds(on).

Maar dat een fet die gespecificeerd is 40A continu dat toch niet waar kan maken. Omdat dat geld voor enkel als je de fet op ca 25°C houden en dus ook intern. En dat lukt je natuurlijk nooit.

Als ik het goed onthouden heb bestaat een fet eigenlijk uit meerdere fets die parallel staan, en dat die aantallen niet gelijk zijn onderling?

Een fet zie er op een foto van een die shot uit als structuur met allemaal vinnen. Zoals een groot Koelprofiel met ribben. Er zijn dan 2 structuren die in elkaar passen. Je zou de vinnen als parallel kunnen zien. Maar volgens mij is het gewoon alles bij elkaar een heel groot oppervlak net zoals bij een koelprofiel wat zorgt dat er veel stroom kan lopen.

Dat verklaard natuurlijk de spreiding, maar had het niet zoveel verwacht.

Er is de fet zelf geen spreiding omdat het 1 grote structuur is, maar er kunnen wel imperfecties inzitten wat tot een zo genaamde hot spot kan leiden. Zo een hotspot is niet zo heel erg maar daarom is die soa zo belangrijk en moet je de limiet zo goed respecteren.

Maar het grootste probleem bij halfgeleider is gewoon de hoge spanning. De hoge veldsterkte van die spanning zorgt er voor dat er minder vrije lading dragers zijn en dat er minder stroom kan lopen. En de stroom die er wel loopt zorgt voor meer warmte.
Daar heeft een fet die je in het linieare gebied gaat gebruiken veel last vast omdat dan spanning en stroom beide hoog kunnen zijn.
Voor in schakeltoepassingen zijn stroom en spanning nooit beide hoog, behalve op het punt van het schakelen zelf. Daarom is snel schakelen wel belangrijk. Om de fet dan zo snel mogelijk door dat gebied te krijgen, zodat de fet niet warm word en de schakelverliezen zo klein mogelijk zijn.

Op zondag 5 oktober 2025 20:15:04 schreef benleentje:
Er is de fet zelf geen spreiding omdat het 1 grote structuur is, maar er kunnen wel imperfecties inzitten wat tot een zo genaamde hot spot kan leiden. Zo een hotspot is niet zo heel erg maar daarom is die soa zo belangrijk en moet je de limiet zo goed respecteren.

Dit kan ik me idd wel herinneren, is het ook niet dat statische elektriciteit al kleine beschadigingen hierin kan veroorzaken waardoor de fets later alsnog (onverklaarbaar) stuk gaan?

Maar het grootste probleem bij halfgeleider is gewoon de hoge spanning. De hoge veldsterkte van die spanning zorgt er voor dat er minder vrije lading dragers zijn en dat er minder stroom kan lopen. En de stroom die er wel loopt zorgt voor meer warmte.

Daar heeft een fet die je in het linieare gebied gaat gebruiken veel last vast omdat dan spanning en stroom beide hoog kunnen zijn.
Voor in schakeltoepassingen zijn stroom en spanning nooit beide hoog, behalve op het punt van het schakelen zelf. Daarom is snel schakelen wel belangrijk. Om de fet dan zo snel mogelijk door dat gebied te krijgen, zodat de fet niet warm word en de schakelverliezen zo klein mogelijk zijn.

Ja dit snap ik wel, daarom hebben schakelende voedingen, en tegenwoordige zelfs versterkers, veel minder verliezen, het gaat uiteindelijk om de spanning die over de fet blijft staan die je maal de stroom moet opstoken.
Iig bedankt voor je input, wordt enorm gewaardeerd!

Dit kan ik me idd wel herinneren, is het ook niet dat statische elektriciteit al kleine beschadigingen hierin kan veroorzaken waardoor de fets later alsnog (onverklaarbaar) stuk gaan

Dat weet ik niet.
Ik den wel dat statisch elektriciteit te weinig energie bevat om een grote mosfet te beschadigen dat is meer voor de heel gevoelige j-fets en voor veel ic's. Meeste ic's van nu heb veel bescherming rond de in en uitgangen en zijn minder gevoelig voor statische elektriciteit. En eenmaal gemonteerd op een printplaat zorgen de condensatoren rond zo een ic ervoor dat ze nog beter tegen statische elektriciteit kunnen.

Ik heb lang geleden gewerkt bij een bedrijf waar laders en (zonne)omvormers werden gebouwd en daar was de statische elektriciteit toch wel een probleem voor de powerfets, dat is ook toegegeven door de fet fabrikant.
Als ze eenmaal in het circuit zitten is het inderdaad geen probleem.

Uiteraard wil je tijdens de productie van elektronica zo min mogelijk risico lopen en word er antistatisch gewerkt.

Maar voor mezelf doe ik dat niet en heb ook nooit problemen ondervonden.
Maar ik denk ook wel dat voor de hoog weerstand van de gate die beste gevoelig kan zijn voor statische lading.

Zelf let ik er ook niet heel erg op maar ga het ook niet uitproberen zeg maar
Daar werd er inderdaad serieus werk van gemaakt, zodra je met fetjes aan de gang moest, moest alles anti statisch.

Ik heb 10 van die fetjes en nog wat zooi besteld, dus mocht de stroom uitvallen in NL deze week, weten jullie waarom..

Ja die statische elektriciteit kan best problematisch zijn. Ik snap dat men er moeilijk over doet omdat deze schade een heel lastig aantoonbaar probleem is. Zodra een transistor in bedrijf faalt is het heel lastig achterhalen wat de oorzaak was, beetje als na brand. Bedrijven zullen daarom altijd heel strikt zijn om het als probleem uit te kunnen sluiten, want als je ooit bekend komt te staan om het leveren van producten die onbetrouwbaar zijn zonder aanwijsbare reden en zonder oplossing ben je wel zuur. Deze grote FETs zijn waarschijnlijk niet genekt door statische elektriciteit om twee redenen: enerzijds zijn grote FET's minder gevoelig dan kleine FET's wegens de grotere capaciteiten. Je kunt nog zo ver geladen zijn, maar als de gate al 12nF is tov de source is de spanning die er over opbouwt met de standaard 100pF 'human body model' capaciteit een stuk kleiner dan zo een minuscule JFET in je ingangstrap.

Op dinsdag 23 september 2025 00:18:19 schreef Richard2000:
Een paar posts terug lees ik dat beide FET's een vergelijkbare SOA hebben, maar als ik beide grafiekjes naast elkaar lig en bij 100V DC kijk, kan de linker, de IXF bijna 5A aan de SPP rechts maar net 300mA aan..

Wacht even, heb je het nu over dit citaat?

Op zaterdag 20 september 2025 11:25:38 schreef Kruimel:
Deze transistor heeft (toevallig) exact dezelfde specificatie op 200mA, maar meer ruimte op lagere spanningen en een grotere behuizing die makkelijker te koelen is.

Hier zeg ik wel dat het om het punt op 200mA gaat, de SOA karakteristiek van een transistor met een ander maximum vermogen een andere maximum spanning en stroom kan nooit hetzelfde zijn, want dat zijn exact de specificaties die deze karakteristiek beschrijven.

[Bericht gewijzigd door Kruimel op woensdag 8 oktober 2025 13:56:32 (13%)]

Het is me verder wel duidelijk dat je niet precies begrijpt wat die SOA karakteristiek betekent en welke dynamiek je tegen aan het vechten bent. Ik zie nog niet helemaal waar het mis gaat in het begrip, maar ik zie wel een paar dingen mis gaan:

Op zondag 5 oktober 2025 14:41:06 schreef Richard2000:
Ik ben eerst op een lage spanning gaan testen en merkte wel dat er een enorme spreiding in de 4 fet's zat, ik heb de 4 fet's een eigen source weerstand gegeven van 4,7ohm om het te meten en de 2 uiterste hadden 50mA verschil bij een gemiddelde van 120mA per fet!

De specificatie van de U_th van de IXFX44N60P is tussen de 3,0 en 5,0V. Dat wil dus zeggen dat de mogelijke spreiding van U_GS op gelijke instelpunten (bij gelijke temperatuur) van zo een type 2V is, wat met een sourceweerstand van 4,7Ω dus zo ver kan gaan als een stroomverschil van 2/4,7=0,42A (als je überhaupt zo veel stroom trekt natuurlijk). Met 10Ω is dat nog steeds een spreiding in stroom van 0,2A, dus het is me hier duidelijk dat de gekozen sourceweerstanden veel te klein zijn. Andere typen hebben misschien een iets kleinere spreiding, maar het is inherent aan MOSFET dat de spreiding een groot percentage is van een grote GS spanning.

Mijn stelregel om de stroom goed te verdelen is dat de spanning over de sourceweerstanden op max stroom ongeveer gelijk moet zijn aan de gate-source-spanning op dat instelpunt. Uitgaande van 200mA totale uitgangsstroom, 4 FET's en een nominale 4V U_GS gaat het dus om 4/0,05=80Ω, maar 100Ω klinkt handiger. Als een transistor dan opwarmt door dissipatie gaat de stroom die je een bepaalde U_GS veroorzaakt omhoog, en dat gaat ten koste van de stroom die door de andere transistoren gaat. De scheve stroomverdeling is dus zelfversterkend, en dat zelfversterkende effect is groter bij grotere spanningen. Als de spanning over de sourceweerstanden groot is ten opzichte van de GS-spanning dan zal het groeien van de stroom door de hete transistor terugkoppelen naar het afnemen van diens GS-spanning en zo zal het probleem zichzelf oplossen. Daarvoor moet de sourceweerstand wel groot genoeg zijn om met de gebruikte stromen een voldoende groot deel van de GS-spanning te kunnen wegsnoepen, anders is de terugkoppeling te zwak.

Heb het verschil wat kleiner kunnen maken door de source weerstand 10ohm te maken, 27mA, maar zat me niet lekker dus ben gaan matchen en kreeg het verschil terug tot 7mA bij 10ohm source R, en ik heb het noodrem meting gescheiden zodat deze reageert op de fet die de meeste stroom doet ipv het gemiddelde.
Dat uiteindelijk op hoogspanning getest met flinke voeding en capaciteit, 1020uf en dat ging op 600v en volledig in noodrem, dus 480mA goed, bij 700v ging het tot 200mA goed en bij opdraaien naar 300mA was het helaas plof..

Ik snap niet helemaal waarom je de rode vlaggen wel ziet, maar toch doordendert. Een rood stoplicht moet je ook voor stoppen als je haast hebt.

En dat is toch wel wat vreemd, de fet's zouden volgens ZOA zo'n 600mA bij 800v moeten aankunnen..

Ik snap niet hoe je tot deze conclusie komt uit de grafiek, ik extrapoleer ongeveer 125mA op 800V.

Als je de tijd niet neemt de grafieken goed te lezen ga je berooid uitkomen.

Dus ben weer wat verder gaan speuren voor fet's en kwam bij TME deze tegen, lage prijs, 1200v, 12a, 278w, en volgens ZOA, 340ma bij 800v op DC,

Tot nu toe lijkt het er niet op dat je problemen komen door de verkeerde FET's, maar je zult nieuwe nodig hebben, dus koop ze gerust. Koop een paar extra, ze kunnen dus stuk...

De SOA grafiek volgt zo te zien gewoon de lijn met de max dissipatie, dus ik vertrouw er niet echt op dat deze specificatie getest is. Dit is gewoon het plaatje invullen dat mensen willen zien, en ik zou zoeken naar een component waar er in elk geval een punt is op de DC SOA grafiek die niet exact de maximale dissipatie toont of een component waar aangegeven is dat het bedoeld is in het lineaire gebied.

De SOA grafiek volgt zo te zien gewoon de lijn met de max dissipatie

Volgens mij niet.
Bij 10A zie ik ongeveer 55V = 550W
Bij 100V ongeveer 4,5A = 450W
Bij 800V ca 125mA = 100W

Heb het verschil wat kleiner kunnen maken door de source weerstand 10ohm te maken, 27mA, maar zat me niet lekker dus ben gaan matchen en kreeg het verschil terug tot 7mA bij 10ohm source R, en ik heb het noodrem meting gescheiden zodat deze reageert op de fet die de meeste stroom doet ipv het gemiddelde.

Het gebruikt van een source weerstand is gewoon een noodzaak en deze dient zoals kruimel heeft uitgerekend ervoor om alle fets binnen de soa te houden.

NU is in er de berekening van kruimel er helemaal geen spreiding meer maar levert ook een grote waarde. Maar dat is ook maar hoed dicht je tegen de soa wilt gaan zitten. Zelf zou ik als de fet 125mA op 800V aankan op max 50mA per fet gaan zitten en dan kan de weerstand misschien iets kleiner. Maar bij 100 ohm en 50mA is daar de spanningsval ook maar 5V en geeft 250mW aan warmte in die weerstand. Geen reden tot een kleinere weerstand.

Maar je kan ook niet van de voeding verlangen dat hij en een hoge spanning en een hoge stroom aankan. Waarmee als de voeding op 800V staat ingesteld valt er bv nog maar 50V over de fet en kan je er 10A uithalen. Maar dat kan niet met een weerstand van 100 ohm.

In voedingen van het merk HP vind je wel heel erg kleine weerstanden maar die voedingen zitten heel erg vol met opamp's en ongelofelijke uitgebreide en ingewikkelde schakelingen. Daar geven ze iedere tor in de uitgangstrap een eigen opamp en per 5 torren weer een eigen opamp.
In mijn HP voeding word er dan in 18x 2N3055 torren bijna 800W aan warmte verstookt op de maximale stroom bij een kortgesloten uitgang.

Dat uiteindelijk op hoogspanning getest met flinke voeding en capaciteit, 1020uf en dat ging op 600v en volledig in noodrem, dus 480mA goed, bij 700v ging het tot 200mA goed en bij opdraaien naar 300mA was het helaas plof..

Als je goed met de soa van de fets gerekend hebt zou dat niet moeten gebeuren. Je moet er dan ook rekening mee houden met de snelheid waarmee je stroom begrenzing is noodrem bij jouw werkt. De stroom kan ook in die korte tijd even te hoog zijn.

Op woensdag 8 oktober 2025 15:44:15 schreef benleentje:

De SOA grafiek volgt zo te zien gewoon de lijn met de max dissipatie

Volgens mij niet.
Bij 10A zie ik ongeveer 55V = 550W Kruimel ziet bij de IXFX44N60P op 10A circa 65V
Bij 100V ongeveer 4,5A = 450W
Bij 800V ca 125mA = 100W

Het gaat om een andere grafiek bij het alternatieve component dat de TS noemt en ik direct daarvoor citeerde:

Dus ben weer wat verder gaan speuren voor fet's en kwam bij TME deze tegen, lage prijs, 1200v, 12a, 278w, en volgens ZOA, 340ma bij 800v op DC,

Het ging hier om de WMJ12N120D1 en de SOA grafiek in de datasheet is deze:

Safe operating area van de WMJ12N120D1 volgens de datasheet. Ik ga er van uit dat deze niet klopt omdat de DC lijn gewoon de maximum dissipatie toont.

NU is in er de berekening van kruimel er helemaal geen spreiding meer maar levert ook een grote waarde.

Nee, ik gebruik het bereik van de spreiding als uitgangspunt. Het is niet zo dat U_th gelijk is aan 2V, het bereik in mogelijke waarden van U_th is 2V (van 3 tot 5V):

Het is dus mogelijk zelfs bij een koude start zo een verschil in stroom te zien wat zichzelf dan zal versterken. Vanaf daar wordt het dus erger. Ik zie zo een verschil in werkelijkheid eigenlijk nooit, maar het verschil is sowieso zelfversterkend, dus je moet er toch rekening mee houden zelfs met een minimaal verschil. Het gelijktrekken van de U_GS en U_RS is echt wel een praktisch uitgangspunt waar ik zonder duidelijke argumenten niet verder dan wat afrondingen van zou afwijken.

Maar dat is ook maar hoed dicht je tegen de soa wilt gaan zitten. Zelf zou ik als de fet 125mA op 800V aankan op max 50mA per fet gaan zitten en dan kan de weerstand misschien iets kleiner.

Dat maakt dus weer weinig uit, de beperking van de 'safe operating area' is alleen spanningsafhankelijk. Eigenlijk beschrijft deze karakteristiek het punt waar de gradiënt in negatieve temperatuurscoefficient van de U_GS groter wordt dan de (horizontale) warmtegeleiding van de chip, en dat is niet sterk afhankelijk van externe factoren anders dan de spanning zelf (die de vermogensdichtheid bepaalt, de gradiënt van welke dezelfde eenheid heeft als (ruimte)warmtegeleiding). Onder die grens is een temperatuursgradiënt niet zelfversterkend en zal dus ook nooit erg groot worden.

In voedingen van het merk HP vind je wel heel erg kleine weerstanden maar die voedingen zitten heel erg vol met opamp's en ongelofelijke uitgebreide en ingewikkelde schakelingen. Daar geven ze iedere tor in de uitgangstrap een eigen opamp en per 5 torren weer een eigen opamp.
In mijn HP voeding word er dan in 18x 2N3055 torren bijna 800W aan warmte verstookt op de maximale stroom bij een kortgesloten uitgang.

Dat zou hier inderdaad ook kunnen, de kleinsignaalcomponenten zijn zo duur niet en kan je zonder pijn in de portemonnee extra implementeren. Ik heb het zelf ook weleens met discrete transistors gedaan exact om deze reden, in deze 'dummy load' heb ik een simpele discrete opamp gebouwd met twee in- en uitgangen voor elke MOSFET:

Dit specifieke ontwerp is niet heel fraai, maar was toen ik hem bouwde een snelle oplossing voor mijn probleem en toont een mogelijke oplossing voor het probleem van het verdelen van stroom over meerdere transistoren.

Het lijkt er in elk geval op dat we met zijn allen iets beter moeten gaan lezen, want volgens mij is de helft van het getouwtrek in dit topic gewoon het gevolg van slecht lezen en overhaast werken.

de kleinsignaalcomponenten zijn zo duur niet en kan je zonder pijn in de portemonnee extra implementeren.

Ja dat is waar.

Maar dat schema van de HP6635 is wel heel erg complex maar het is ook meer als zomaar een voeding omdat het in 2 kwadranten kan werken. En het aangestuurd kan worden vanuit de interne CPU of extern via HPib.

Maar de eindtrappen zelf zijn best vrij simpel van opzet. En TS zou eens naar dat deel van het schema kunnen kijken.

Dat vind ik geen raar idee, maar heb je dat schema en snap je dat deel van de opzet goed genoeg om een concreet voorstel te doen voor een nieuw schema? Zo niet, dan kunnen we beter ons mond houden, want anders ontsporen we nog verder in problemen die dan door niemand meer worden begrepen en alleen afleiden van het onderwerp. De opzet van de TS is niet heel raar of complex en de problemen die we hier zien zijn gewoon gevolg van te kleine source-weerstanden. Dit is niet iets dat je moet oplossen met het omgooien van het concept. Ik zeg dat er gewoon 4 100Ω weerstanden in moeten. Dan kan je die 47Ω weerstand ook gewoon weggooien en met een paar weerstandjes gewoon de gemiddelde spanning over de sourceweerstanden meten en daarmee regelen. Dan heb je in totaal minder spanningsval en geen transistoren die overlijden door het overschrijden van de 'safe operating area' (als die spec klopt tenminste).

Zo niet, dan kunnen we beter ons mond houden,

Het voorstel deed ik meer omdat TS iets lijkt te hebben tegen een hoge source weerstand. Het was meer een concept dat ik onthouden heb maar je hebt gelijk beter wachten op wat TS verder nog wil.

Bedankt voor de input heren, ik heb de fetjes inmiddels binnen dus ga jullie opmerkingen zeker meenemen, dus vooral jullie mond niet houden, wordt zeer gewaardeerd!

Op woensdag 8 oktober 2025 13:38:53 schreef Kruimel:
Ja die statische elektriciteit kan best problematisch zijn. Ik snap dat men er moeilijk over doet omdat deze schade een heel lastig aantoonbaar probleem is. Zodra een transistor in bedrijf faalt is het heel lastig achterhalen wat de oorzaak was, beetje als na brand. Bedrijven zullen daarom altijd heel strikt zijn om het als probleem uit te kunnen sluiten, want als je ooit bekend komt te staan om het leveren van producten die onbetrouwbaar zijn zonder aanwijsbare reden en zonder oplossing ben je wel zuur. Deze grote FETs zijn waarschijnlijk niet genekt door statische elektriciteit om twee redenen: enerzijds zijn grote FET's minder gevoelig dan kleine FET's wegens de grotere capaciteiten. Je kunt nog zo ver geladen zijn, maar als de gate al 12nF is tov de source is de spanning die er over opbouwt met de standaard 100pF 'human body model' capaciteit een stuk kleiner dan zo een minuscule JFET in je ingangstrap.

Daar kan ik me wel in vinden, een bedrijf moet natuurlijk alles uitsluiten, en wat je zegt over de ingangscapaciteit had ik niet bij stil gestaan, die is inderdaad zo groot dat die nooit zo snel kan oplopen, zeker niet met statische elektriciteit.

Wacht even, heb je het nu over dit citaat?[...]Hier zeg ik wel dat het om het punt op 200mA gaat, de SOA karakteristiek van een transistor met een ander maximum vermogen een andere maximum spanning en stroom kan nooit hetzelfde zijn, want dat zijn exact de specificaties die deze karakteristiek beschrijven.

Daar heb je gelijk in, ik had het 200mA punt moeten vergelijken.

Op woensdag 8 oktober 2025 14:49:22 schreef Kruimel:
Het is me verder wel duidelijk dat je niet precies begrijpt wat die SOA karakteristiek betekent en welke dynamiek je tegen aan het vechten bent. Ik zie nog niet helemaal waar het mis gaat in het begrip, maar ik zie wel een paar dingen mis gaan:

Helemaal waar, ik heb weinig tot geen ervaring met het zelf bedenken van power elektronica en van de SOA had ik wel eens gehoord, maar verder..

De specificatie van de U_th van de IXFX44N60P is tussen de 3,0 en 5,0V. Dat wil dus zeggen dat de mogelijke spreiding van U_GS op gelijke instelpunten (bij gelijke temperatuur) van zo een type 2V is, wat met een sourceweerstand van 4,7Ω dus zo ver kan gaan als een stroomverschil van 2/4,7=0,42A (als je überhaupt zo veel stroom trekt natuurlijk). Met 10Ω is dat nog steeds een spreiding in stroom van 0,2A, dus het is me hier duidelijk dat de gekozen sourceweerstanden veel te klein zijn. Andere typen hebben misschien een iets kleinere spreiding, maar het is inherent aan MOSFET dat de spreiding een groot percentage is van een grote GS spanning.

Mijn stelregel om de stroom goed te verdelen is dat de spanning over de sourceweerstanden op max stroom ongeveer gelijk moet zijn aan de gate-source-spanning op dat instelpunt. Uitgaande van 200mA totale uitgangsstroom, 4 FET's en een nominale 4V U_GS gaat het dus om 4/0,05=80Ω, maar 100Ω klinkt handiger. Als een transistor dan opwarmt door dissipatie gaat de stroom die je een bepaalde U_GS veroorzaakt omhoog, en dat gaat ten koste van de stroom die door de andere transistoren gaat. De scheve stroomverdeling is dus zelfversterkend, en dat zelfversterkende effect is groter bij grotere spanningen. Als de spanning over de sourceweerstanden groot is ten opzichte van de GS-spanning dan zal het groeien van de stroom door de hete transistor terugkoppelen naar het afnemen van diens GS-spanning en zo zal het probleem zichzelf oplossen. Daarvoor moet de sourceweerstand wel groot genoeg zijn om met de gebruikte stromen een voldoende groot deel van de GS-spanning te kunnen wegsnoepen, anders is de terugkoppeling te zwak.

Dit snap ik, waarom ik geen grotere weerstanden heb gebruikt is omdat ik maar 12v sturing heb en met te grote weerstanden zou er niks van die sturing overblijven, ik heb wel 15ohm geprobeerd maar daar werd het maar 4mA beter van, de spreiding was toen nog 23mA en 10ohm kwam ook precies goed uit met de noodrem, die op 120mA per fet staat, de fet staat op nog geen 710v en dan zou deze volgens de SOA 150mA kunnen.
Na matchen had ik een verschil van 7mA als uiterste, bij ca 120mA per fet, is 7mA dan nog teveel?
Wat ook lastig is met grote source weerstanden is hoge negatieve spanning die op de gate en sturing komt als de noodrem ingrijpt..
Eigenlijk was die 47ohm weerstand de gezamenlijke source weerstand, maar ik ga hierover nadenken, kijken hoe ik dat met die sturing ga doen en de negatieve noodrem spanning.

Dat ik wat doordender is meer als test, om te zien hoe ver ik kan gaan, het kan beter nu stuk gaan dan dat ik er een voeding mee heb gebouwd, toch?

Die 600mA bedoel ik de 4 fets samen en dan op 700v, en het moment dat deze stuk gingen was nog lang niet daar, de noodrem stond op 480mA en ze gingen stuk toen ik de stroom naar 250mA draaide, vandaar dat ik het toch wat raar vond, maar ik denk nu dat het misschien best een te hoge junction temperatuur geweest kan zijn, ze stonden al een aantal minuten op kortsluittest en deze fetjes waren inderdaad aan de te krappe kant.
Het was ook eerst mijn plan om de serieregeling te bouwen maar ben nu eenmaal eigenwijs en heb het toch zo geprobeerd.

Dus heb inderdaad nieuwe fets gekocht maar hoop met deze wel wat langer te doen , deze zijn iig een stuk ruimer, 1200v en over de 300mA bij 800v, volgens de SOA, en dat komt ongeveer overeen met de Dp van bijna 280watt.
En ik zou willen dat ik een linieere fet tegenkwam in deze spanningen..

Omdat het een beetje lang werd heb ik het in 2en gesplitst..

Op woensdag 8 oktober 2025 15:44:15 schreef benleentje:
Het gebruikt van een source weerstand is gewoon een noodzaak en deze dient zoals kruimel heeft uitgerekend ervoor om alle fets binnen de soa te houden.

Eigenlijk was de 47ohm de gezamenlijke source weerstand, ik had niet verwacht dat de spreiding zo groot was en heb ze daarom opgesplit.

NU is in er de berekening van kruimel er helemaal geen spreiding meer maar levert ook een grote waarde. Maar dat is ook maar hoed dicht je tegen de soa wilt gaan zitten. Zelf zou ik als de fet 125mA op 800V aankan op max 50mA per fet gaan zitten en dan kan de weerstand misschien iets kleiner. Maar bij 100 ohm en 50mA is daar de spanningsval ook maar 5V en geeft 250mW aan warmte in die weerstand. Geen reden tot een kleinere weerstand.

Maar je kan ook niet van de voeding verlangen dat hij en een hoge spanning en een hoge stroom aankan. Waarmee als de voeding op 800V staat ingesteld valt er bv nog maar 50V over de fet en kan je er 10A uithalen. Maar dat kan niet met een weerstand van 100 ohm.

In voedingen van het merk HP vind je wel heel erg kleine weerstanden maar die voedingen zitten heel erg vol met opamp's en ongelofelijke uitgebreide en ingewikkelde schakelingen. Daar geven ze iedere tor in de uitgangstrap een eigen opamp en per 5 torren weer een eigen opamp.
In mijn HP voeding word er dan in 18x 2N3055 torren bijna 800W aan warmte verstookt op de maximale stroom bij een kortgesloten uitgang.

[...]Als je goed met de soa van de fets gerekend hebt zou dat niet moeten gebeuren. Je moet er dan ook rekening mee houden met de snelheid waarmee je stroom begrenzing is noodrem bij jouw werkt. De stroom kan ook in die korte tijd even te hoog zijn.

Ik heb de snelheid van de noodrem redelijk kunnen zien op mijn scoop, het was iig een stuk sneller dan de normale opamp stroomregeling en ruim binnen de 10uS, dus nog binnen de SOA.

En graag, als je het schema heb van die HP voeding, wil ik die wel zien.

Op woensdag 8 oktober 2025 21:06:30 schreef Richard2000:
Dit snap ik, waarom ik geen grotere weerstanden heb gebruikt is omdat ik maar 12v sturing heb en met te grote weerstanden zou er niks van die sturing overblijven,

Maar 12V is toch zat voor 5V over de sourceweerstand en 5V U_GS?

Na matchen had ik een verschil van 7mA als uiterste, bij ca 120mA per fet, is 7mA dan nog teveel?

Ligt er aan, het verschil zelf is niet het probleem maar wat het doet met de U_GS. Als de verandering in temperatuur zorgt voor een daling van 25% of 1V in U_GS (wat een redelijk extreem, maar haalbaar verschil in temperatuur zou zijn) moet die weerstand groot genoeg zijn om de verdeling van de stroom nog steeds enigszins in balans te houden. Ik herhaal: zelfversterkend. Je mag zelf wat getallen invoeren om te bedenken welke weerstanden handig zijn, maar ik heb geen reden om op mijn eerdere advies terug te komen.

Wat ook lastig is met grote source weerstanden is hoge negatieve spanning die op de gate en sturing komt als de noodrem ingrijpt..
Eigenlijk was die 47ohm weerstand de gezamenlijke source weerstand, maar ik ga hierover nadenken, kijken hoe ik dat met die sturing ga doen en de negatieve noodrem spanning.

Dat maakt niet uit, voor die gate is het niet gevaarlijk een negatieve spanning te zien.

Dat ik wat doordender is meer als test, om te zien hoe ver ik kan gaan, het kan beter nu stuk gaan dan dat ik er een voeding mee heb gebouwd, toch?

Behalve als je dan alsnog niet weet waarom iets al dan niet werkt.

En ik zou willen dat ik een linieere fet tegenkwam in deze spanningen..

Als je iets wil met een lineaire specificatie is wat je had met die IXFX44N60P's nauwelijks te verslaan. MOSFET's "zijn" overigens niet lineair, je kunt er voor kiezen ze zo te gebruiken. Haast niemand specificeert deze karakteristiek fatsoenlijk omdat het een lastig iets is om in een component op te optimaliseren zonder hem duur te maken. Die MOSFET's die je net opgeblazen hebt waren nieuw $16 omdat ze tot de nok gevuld waren met silicium, dus als je het daar niet mee gedaan krijgt is er niet nog ergens een overtreffende trap. Je hebt hier echt voor een dubbeltje op de eerste rang gezeten.

Op woensdag 8 oktober 2025 21:20:47 schreef Richard2000:
En graag, als je het schema heb van die HP voeding, wil ik die wel zien.

Oef, doe dat alsjeblieft niet. Wat ik hier mis zie gaan moet je niet oplossen met meer complexiteit, dat schema gaat alleen vragen opleveren. Het huidige ontwerp is complex zat, en als je een 400W voeding wil bouwen heb je wat mij betreft teveel hooi op je vork genomen als de 'safe operating area' nieuw voor je is. Reken in elk geval niet op mij om zo een schema uit te pluizen of uit te leggen, want dat vreet tijd zelfs als ik het zou kunnen. Bij dit soort projecten ga je tegen de muur lopen dat het op een bepaald moment in een topic stil wordt omdat het te lastig wordt zinvolle feedback te geven. Van die HP voeding zijn ook wel een paar proto's gemaakt door een team van gespecialiseerde mensen voor het ergens op begon te lijken, en dat soort tijdsinvestering ga ik 'en passant' niet kunnen doen.

Oef, doe dat alsjeblieft niet. Wat ik hier mis zie gaan moet je niet oplossen met meer complexiteit, dat schema gaat alleen vragen opleveren.

Daar heb je wel gelijk in. En het zou met een 75 - 100 ohm source weerstand gewoon moeten werken.

Maar ik wil je ook niet beletten in je interesse.
HP6653A wat nu tegenwoordig siglent HP6635A is geworden.
Het gaat dan met name om het deel van de eindtrappen die op een aparte module zitten.

Helemaal waar, ik heb weinig tot geen ervaring met het zelf bedenken van power elektronica en van de SOA had ik wel eens gehoord, maar verde

Binnen de soa blijven is zelf nog niet 100% garantie dat het blijft werken maar toch wel het uitgangspunt waar je mee moet beginnen.

Als je een voeding tot 800V wilt ontwerpen dan moet je voor die fet of tor ook het meest specifiek letten op wat het dan nog aankan op 800V.

125mA @ 800V = 100W.
Dat betekend ook 60mA en max 50W per fet. En misschien is die 50W al te veel.
En dat heeft ermee te maken dat de soa je niet precies verteld wat er gebeurd als de fet al warm is en het dan nog even een piek van 100mA moet verwerken.

Voor een 400W voeding heb je dan toch echt minimaal 8 van de fets nodig.

Dit snap ik, waarom ik geen grotere weerstanden heb gebruikt is omdat ik maar 12v sturing heb en met te grote weerstanden zou er niks van die sturing overblijven,

12V voor een fet is al meer iets van vroeger. De meeste fets zijn al een stuk beter met een lagere spanning op de gate.
12V is voor als je de fet heel snel wilt schakelen wat hier niet van toepassing is.
Maar als de 12V te laag blijkt zijn ivm met de grote source weerstanden kan je ook naar bv 15V gaan. Maar let dan wel op wat de maximale Ugs van je fet is of plaats anders een zenerdiode over de Ugs.

Er valt wel iets voor te zeggen om wat ruimte te hebben, want zo een opamp heeft vaak ook maar een uitsturing tot U_CC-2V, maar in dit geval kan je de weerstand dan nog wel afronden naar 68Ω of de voedingsspanning verhogen. Die is volgens mijn berekeningen trouwens minder dan 11V. Wat is de secundaire spanning van de hulpwikkeling van de transformator? Je kunt hier mogelijk een LM317 inzetten omdat die beveiligd zijn tegen kortsluiting. Als je hier een 3k9 weerstand gebruikt ipv een 3k3 wordt de spanning 12,25V, en met 4k7 een heel acceptabele 14,25V, mits de trafo genoeg spanning levert natuurlijk.

Op donderdag 9 oktober 2025 16:19:25 schreef benleentje:
[...] wat nu tegenwoordig siglent HP6635A is geworden.

Bedoel je misschien Keysight 6653A? Anders ga je weinig vinden. Let op deze tikfoutjes, want dit is een drama als het gaat om componenten.

Binnen de soa blijven is zelf nog niet 100% garantie dat het blijft werken maar toch wel het uitgangspunt waar je mee moet beginnen.

Waarom niet eigenlijk? Volgens mij is dat een voldoende voorwaarde voor overleving.

[Bericht gewijzigd door Kruimel op donderdag 9 oktober 2025 17:42:46 (12%)]

Om eerlijk te zijn weet ik dat niet precies het is meer dat ik dat zo geleerd heb. Maar volgens mij als je fet al lekker warm is wil dat niet zeggen dat hij dan ook nog lekker om kan gaan met pieken.

Verder denk ik dat het altijd verstandig is om niet de grenzen op te gaan zoeken. Als je uitgerekend heb dan je een 2W weerstand nodig heb dan vind ik voor mezelf een 3W weerstand al krap. Voor hobby lijkt me dat prima werken als je grote productie aantallen hebt is dat een ander verhaal.

wat nu tegenwoordig siglent HP6635A is geworden.

Ik bedoelde eigenlijk Agilent en is nu al weer keysight.

https://www.keysight.com/us/en/product/6653A/500-watt-system-power-sup…

Die 500W klopt wel maar is dan wel aan de uitgang. Ik heb zelf 760W gemeten, de spanning uit de trafo is ook wat hoog met 55V die onder belasting iets inzakt.

Hi Kruimel,

Op donderdag 9 oktober 2025 01:17:23 schreef Kruimel:
Maar 12V is toch zat voor 5V over de sourceweerstand en 5V U_GS?

Dat klopt idd voor jou berekening, maar ik ging uit van een grotere R, 220Ω, en 4 fets, dus 100mA per fet, dan zit je op 22v..

Ligt er aan, het verschil zelf is niet het probleem maar wat het doet met de U_GS. Als de verandering in temperatuur zorgt voor een daling van 25% of 1V in U_GS (wat een redelijk extreem, maar haalbaar verschil in temperatuur zou zijn) moet die weerstand groot genoeg zijn om de verdeling van de stroom nog steeds enigszins in balans te houden. Ik herhaal: zelfversterkend. Je mag zelf wat getallen invoeren om te bedenken welke weerstanden handig zijn, maar ik heb geen reden om op mijn eerdere advies terug te komen.

Ok, dat is me duidelijk.

Dat maakt niet uit, voor die gate is het niet gevaarlijk een negatieve spanning te zien.

Inderdaad, maar met een R van 220Ω is het wel teveel..

Als je iets wil met een lineaire specificatie is wat je had met die IXFX44N60P's nauwelijks te verslaan. MOSFET's "zijn" overigens niet lineair, je kunt er voor kiezen ze zo te gebruiken. Haast niemand specificeert deze karakteristiek fatsoenlijk omdat het een lastig iets is om in een component op te optimaliseren zonder hem duur te maken. Die MOSFET's die je net opgeblazen hebt waren nieuw $16 omdat ze tot de nok gevuld waren met silicium, dus als je het daar niet mee gedaan krijgt is er niet nog ergens een overtreffende trap. Je hebt hier echt voor een dubbeltje op de eerste rang gezeten.

Dat heb ik inderdaad gemerkt, ik zie het gewoon als leergeld, ik heb wat kunnen spelen en weer een hoop geleerd, daar gaat het mij om.

Oef, doe dat alsjeblieft niet. Wat ik hier mis zie gaan moet je niet oplossen met meer complexiteit, dat schema gaat alleen vragen opleveren. Het huidige ontwerp is complex zat, en als je een 400W voeding wil bouwen heb je wat mij betreft teveel hooi op je vork genomen als de 'safe operating area' nieuw voor je is. Reken in elk geval niet op mij om zo een schema uit te pluizen of uit te leggen, want dat vreet tijd zelfs als ik het zou kunnen. Bij dit soort projecten ga je tegen de muur lopen dat het op een bepaald moment in een topic stil wordt omdat het te lastig wordt zinvolle feedback te geven. Van die HP voeding zijn ook wel een paar proto's gemaakt door een team van gespecialiseerde mensen voor het ergens op begon te lijken, en dat soort tijdsinvestering ga ik 'en passant' niet kunnen doen.

Ik ga absoluut niet die voeding nabouwen, ik wil sowieso geen programmeerbaar of met drukknopjes te instellen voltage, heb al zo een soort voeding en vind dat helemaal niks, gaat mij enkel om te zien hoe de regeling werkt en hoe zij het stroom gedeelte hebben opgelost.
En ik zou nooit aan je vragen om mij het schema uit te leggen.

Hi Benleentje

Op donderdag 9 oktober 2025 16:19:25 schreef benleentje:
Binnen de soa blijven is zelf nog niet 100% garantie dat het blijft werken maar toch wel het uitgangspunt waar je mee moet beginnen.

Helemaal waar, achteraf besef ik zelf ook wel dat dat een beetje dom was om daar niet op te letten..

Als je een voeding tot 800V wilt ontwerpen dan moet je voor die fet of tor ook het meest specifiek letten op wat het dan nog aankan op 800V.

125mA @ 800V = 100W.
Dat betekend ook 60mA en max 50W per fet. En misschien is die 50W al te veel.
En dat heeft ermee te maken dat de soa je niet precies verteld wat er gebeurd als de fet al warm is en het dan nog even een piek van 100mA moet verwerken.

Voor een 400W voeding heb je dan toch echt minimaal 8 van de fets nodig.

Ja dat blijkt wel dat ik er meer nodig had, het zat ook wel dicht op het randje inderdaad.

12V voor een fet is al meer iets van vroeger. De meeste fets zijn al een stuk beter met een lagere spanning op de gate.
12V is voor als je de fet heel snel wilt schakelen wat hier niet van toepassing is.
Maar als de 12V te laag blijkt zijn ivm met de grote source weerstanden kan je ook naar bv 15V gaan. Maar let dan wel op wat de maximale Ugs van je fet is of plaats anders een zenerdiode over de Ugs.

Ik had op de scoop inderdaad al gezien dat de sturing ruim onder de 12v zat, maar ik ging dus uit van een veel grotere source R en meer stroom per fet..

Bedankt weer voor jullie input!

Dat klopt idd voor jou berekening, maar ik ging uit van een grotere R, 220Ω, en 4 fets, dus 100mA per fet, dan zit je op 22v..

Ik snap dan niet hoe je eraan komt. De spanning over de source weerstand kan nooit groter worden dan de spanning die je op de gate zet. Dus zelfs als je 220 ohm zou gebruiken dan zou daar nooit meer dan 12V over kunnen vallen, dus de stroom kan nooit hoger worden dan ongeveer 45mA geen zin omdat precies uit te rekenen.

Maar over de fet valt altijd ook nog wat spanning wat Ugs(th) is. Dat is met welke minimale spanning de fet minimaal open staat. Dus zeg dat deze fet al bij 4V zover open staat dat er 100mA door kan dan kan er maximaal 8V over de source weerstand vallen. Bij 220 ohm zal er dan ook 8V over vallen maar dan is het geen 100mA meer. En dat is ook ergens wat je wilt want dan is de weerstand dominant over de de spanning Ugs en zijn er nagenoeg geen verschillen in stroom door de fets.
Maar als die weerstand te groot is dan knijp je de voeding teveel.

Maar ik lul ook maar uit maar nek zie ik. Als je een max stroom per fet van 45mA wilt dan zit je met 220 ohm wel goed.

Een nadeel van die source weerstand is dat je heel hard bepaalt wat de maximale stroom per fet is. Maar met een lineaire voeding op deze spanning zijn er nogal wat beperkingen en je kan niet alles hebben.

Je zou wel eens me alle gegevens uit de datasheet en dan met name Ugs(th) min en max en welke invloed temperatuur heeft op het verloop van Ugs en dat de stroom per fet zo gelijk mogelijk wilt hebben zonder dat het door opwarming uit de hand loopt eens voor jezelf kunnen berekenen welke source weerstaand dat oplevert.

Ja dat snap ik dat het met 12v sturing nooit 22v over de source R kan worden, daarom heb ik het ook niet gedaan.
Wat mijn gedachte was dat ik samen met die serieweerstand genoeg weerstand had om de max stroom, dus zeg maar voordat de stroomregeling en noodrem zijn werk gaat doen.
En 10Ω per fet kwam mooi uit met de noodrem en sturing, die 10Ω was ook zeker bedoelt als tegenkoppeling en ik dacht dat genoeg was, zodoende dat ik voor deze oplossing koos.
Maar ik ga zeker jouw advies opvolgen, ik ga de source R per fet ophogen.