PNP vs NPN

Doe maar echt precies het tegenovergestelde.

NPN: stroom in de basis, PNP: stroom uit de basis

[Bericht gewijzigd door Henry S. op 17 april 2006 21:10:43

is het niet dat de een aan de plus hangt (en dus de stroom van bv: van links naar rechts geleid) en de andere aan de min hangt (en de stroom bv: van rechts naar links geleid) ???

http://www.markallen.com/teaching/ucsd/147a/lectures/lecture3/10.php

@elektro_freak: dat is wel heel erg vaag...

[Bericht gewijzigd door Henry S. op 17 april 2006 21:12:31

NPN: Basisstroom loopt van B naar E, b.v. +1 mA en laat dan een versterkte stroom lopen van C naar E, b.v. +100 mA

PNP: Basisstroom loopt van B naar E b.v. -1 mA en laat dan een versterkte stroom lopen van C naar E, b.v. -100 mA

[edit]
Hum. Te laat.. Schets het anders even voor jezelf, dan wordt het snel genoeg duidelijk.

[Bericht gewijzigd door Aart op 17 april 2006 21:13:56

Hee da's toch hetzelfde? dacht Fantomaz nog...
Tot ik overal de plusjes met de minnetjes vergelijk.
Ik meende al Zoiets naar aanleiding van het verhaal van die leraar destijds...

Op 17 april 2006 21:11:51 schreef Henry S.:
http://www.markallen.com/teaching/ucsd/147a/lectures/lecture3/10.php

@elektro_freak: dat is wel heel erg vaag...

dat is omdat ik het zelf niet goed weet (wist)

Op 17 april 2006 21:11:51 schreef Henry S.:
http://www.markallen.com/teaching/ucsd/147a/lectures/lecture3/10.php

@elektro_freak: dat is wel heel erg vaag...

Ah... die tekening geeft inderdaad wat meer duidelijkheid.
Daar komt bij dat bij mij de verwarrin ook zat in waar de pijl stond. Omdat de stroom de andere kant op loopt, is het logischer dat de emittor boven zit en de collector onder. In mijn beleving (en dst is gebasseerd op tekeningetjes van een transistor zonder deze te merken met BCE) zie ik plots een pijl van de bovenkant naar de plaat lopen, ipv aan de onderzijde van de plaat af, zoals ik het destijds had geleerd

7) Follow the arrow to see the direction of current flow.

...

Op 17 april 2006 21:12:26 schreef Aart:
NPN: Basisstroom loopt van B naar E, b.v. +1 mA en laat dan een versterkte stroom lopen van C naar E, b.v. +100 mA

PNP: Basisstroom loopt van B naar E b.v. -1 mA en laat dan een versterkte stroom lopen van C naar E, b.v. -100 mA

[edit]
Hum. Te laat.. Schets het anders even voor jezelf, dan wordt het snel genoeg duidelijk.

Op 17 april 2006 21:16:18 schreef Fantomaz:
Hee da's toch hetzelfde? dacht Fantomaz nog...
Tot ik overal de plusjes met de minnetjes vergelijk.
Ik meende al Zoiets naar aanleiding van het verhaal van die leraar destijds...

bijna ja en nee, ongeveer ...

de min en plus hebben hier geen wiskundige tetekenis, maar eerder een fase betekenis. of juister, richtingsbetekenis. Natuurlijk komt het hier met hfe formuleskes ook nog lekker uit ...

@Henry
Grootste verwarring was toch wel dat ik in schema's anders dan die van jouw link, vaak een NPN op z'n kop zie. Emittor dus boven. De pijl loopt welliswaar naar de plaat toe, maar die zit op het bovenste pootje van de Transistor, in dat schema tenminste.
Als er dan geen B-C-E bij staat, omdat men er vanuit gaat dat het algemeen bekend is dat je pijl altijd bij de emittor zet, is het circeltje rond.

Snap je me? (<-Belangrijke vraag voor me )

Op 17 april 2006 23:36:59 schreef Fantomaz:
@Henry
Grootste verwarring was toch wel dat ik in schema's anders dan die van jouw link, vaak een NPN op z'n kop zie. Emittor dus boven. De pijl loopt welliswaar naar de plaat toe, maar die zit op het bovenste pootje van de Transistor, in dat schema tenminste.
Als er dan geen B-C-E bij staat, omdat men er vanuit gaat dat het algemeen bekend is dat je pijl altijd bij de emittor zet, is het circeltje rond.

Snap je me? (<-Belangrijke vraag voor me )

Ik snap je, pijl is emitter, niet meer vergeten

Dit kan ook wat duidelijk maken. Je kan in een schakeling alle NPN torren vervangen door PNP, als je de voedingsspanning omdraait. (Vergeet voorde volledigheid de elco's en diodes ook niet om te draaien)

als je dan ook maar in de gaten houdt dat PNP i.h.a. een lagere stroomversterkingsfactor en lagere grensfrequenties heeft dan een NPN van "hetzelfde type"

LaStei dat was eens ooit zo in de tijd van de Geranium torren.

Dat was dan ook de reden waarom vroeger voornamelijk met PNP zooi begonnen werd.

Fantomaz
Spanning omdraaien, Elco's en diodes omdraaien
en verder nergens druk om maken.

AF239S !!

[Bericht gewijzigd door DC2PCC op 18 april 2006 14:34:39

Op 18 april 2006 08:24:49 schreef LaStei:
als je dan ook maar in de gaten houdt dat PNP i.h.a. een lagere stroomversterkingsfactor en lagere grensfrequenties heeft dan een NPN van "hetzelfde type"

Volgens mij was dat eerst anders om, zie hoelang de AF239S het nog volgehouden heeft.

Even een aantal datasheets naast elkaar gelegt, en inderdaad voor small signaal transistoren maakt het niet uit (BC547/557, BC140/160) Voor vermogenstransistoren, wat is de PNP equivalent voor een 2N3055? De zwaarste PNP die ik bij Farnell kan vinden levert net 1 A. Die AF239 is trouwens een Germanium transistor. En als ik me niet vergis, was het met germanium technologie makkelijker om N materiaal te maken, vandaar dat die transistoren PNP's waren. Si materiaal is makkelijker om P-materiaal te maken, vandaar dat NPN zo gangbaar zijn in silicium. Maar nu zit ik op een bijna vergeten hoekje van mijn geheugen te graven, misschien da F_E er iets meer over kan vertellen.

Wat je zegt klopt volgens mij wat de NPN en PNP's betreft.

De PNP equivalent van de 2N3055: De 2N2955, zie je tenminste in complemantaire eindtrappen, en die is idd een stuk lichter dan de 2N3055.

Op 18 april 2006 15:44:07 schreef LaStei:
Voor vermogenstransistoren, wat is de PNP equivalent voor een 2N3055?

'k dacht dat dit de 2N2955 was.

CD

Oeps...te laat....

Op 18 april 2006 15:55:15 schreef Henry S.:
... De 2N2955 ... is idd een stuk lichter dan de 2N3055.

Volgens mijn datasheet lijkt deze toch redelijk identiek.

CD

hmmm, ben ik in de war met een 2N2955 in een andere behuizing?

Zelf niet verder gekeken, maar waar ik op doelde is dat inderdaad 9 van de 10 keer, diodes/condensatoren omkeren en NPN door PNP's vervangen, en de voedingsspanning omdraaien wel zou kunnen werken, maar dat er altijd addertjes in het gras loeren bij dit soort algemene regels.

Op 18 april 2006 15:44:07 schreef LaStei:
Maar nu zit ik op een bijna vergeten hoekje van mijn geheugen te graven, misschien da F_E er iets meer over kan vertellen.

Waw, nu voel ik me pas echt oud!
Ehmm, eh, puntcontacttransistoren werden gemaakt van een brokje n-germanium met twee wolfraam prikkertjes erin: de emitter en de collector. Het grondvlak zelf (n) was dus de basis. Onder de punten van de wolframdraadjes vormde zich bij het 'inbranden' de p-gebiedjes.

Bij de fusietransistoren werd weer uitgegaan van een plakje n-germanium, en dan aan weerszijden een bolletje indium ingesmolten (de overblijvende ruimte ertussen werd dan lekker dun). De indium vormde ook weer de p gebiedjes. Zo maakten ze bijv. de OC71 en dat soort beestjes. De OC3 en OC13 waren geen echte typen; dat waren 'experimenteer-transistoren' ofwel out-of-spec afdankertjes van de productie die het voor een amateur nog wel leuk deden.

Bij de groei-junctie transistoren werd uitgegaan van n- of p-materiaal, waaruit het kristal werd getrokken, dan werd de tegengestelde verontreiniging toegevoegd zodat die ging overheersen, weer een eindje kristal getrokken, en ten slotte weer de eerste soort erin zodat die alsnog weer ging overheersen. Hier was n-p-n het gebruikelijkst.
Tegen de tijd dat silicium in de mode kwam, was dit de meest gebruikte methode. Vandaar mogelijk dat Si vaak npn was, en Ge vaak pnp.

PNP : stuurt een Positief + signaal uit

NPN : stuurt een Negatief - signaal uit