Op 14 maart 2017 19:47:47 schreef Martin V:
Een transistor kun je niet vergelijken met een thyristor of diac
Tot zover heb je volkomen gelijk. Je kunt geen elementen met een andere functie vergelijken
evenals een diode niet is te vergelijken met een vacuumdiode.
Verschillende technologieen kun je natuurlijk wél vergelijken. Er zijn duidelijke overeenkomsten en verschillen tussen buis en de vervangende halfgeleider.
Misschien is het ook nuttig om te vermelden dat de halfgeleidertechnologie begonnen is met het basismateriaal Germanium. Twintig jaar later werd het verdrongen door het materiaal Silicium. Dit was veel moeilijker zuiver genoeg te krijgen en te produceren, maar heeft spectaculair betere eigenschappen. De lekstromen zijn beduidend lager, de maximale werktemperatuur een stuk hoger, waardoor vermogencomponenten meer vermogen aankunnen, de spreiding tussen de eigenschappen van de componenten zijn ook een stuk lager. Er is meer versterking mogelijk.
Nadeel was in den beginne een lagere maximale werkfrequentie. Maar dat is ook bijgestuurd geworden.
Het belangrijkste voordeel van silicium is dat door de manier waarop de halfgeleiders geconstrueerd worden een veel grotere mogelijkheid is tot complexe schakelingen.
De zogenaamde monolithische geintegreerde schakelingen.
Met Germanium als grondstof was dat niet mogelijk.
Er zijn wel bescheiden pogingen gedaan, maar de componentendichtheid zoals bij moderne chips zou nooit mogelijk geweest zijn.