@ SparkyGSX, benleentje en REW:,
Bedankt voor uw antwoorden. Weer wat geleerd. Ik had altijd gedacht dat er in (MOS)Fet's een fysieke diode is geplaatst. Eigenlijk nu logisch voor mij. Pas als het kanaal gevormd wordt (N-Channel) komt de diode overgang tot stand.
@REW: Tja, Ik heb mij suf gepiekerd over uw opgave. Zou het niet weten. Zijn er nog meer hints aub?
Twan
Op 5 oktober 2020 22:08:41 schreef benleentje:
[...]Dat zijn parasitaire diode die automatisch ontstaan als de fet gefabriceerd word op een stukje silicium.
Aiii! Heb het bericht van BenLeentje niet goed gelezen. Beschouw mijn voorlaatste bericht als niet gelezen... Zat er goed naast. Sorry.
V.w.b. de opgave van Rew bedenk ik mij opeens dat er een P-Channel wordt gevraagd omdat gesteld is dat de GB spanning hoger moet zijn dan de Source Drain spanning?
Twan
Ik weet een hoop, maar lang niet alles. Dus het was geen opgave maar een serieuze vraag.
Op 6 oktober 2020 22:25:56 schreef dikke donker:
de opgave van Rew bedenk ik mij opeens dat er een P-Channel wordt gevraagd omdat gesteld is dat de GB spannin...
Nee, Het plaatje hierboven is een "N channel" fet. Verwissel P en N en je hebt een P-channel-fet.
Golden Member
De boel laat zich sturen door GB spanning
Klopt dit ook in het echt want uiteraard heb ik geleerd dat het de GS spanning is. Maar als s en b aan elkaar zitten kan je ook spreken van Ugb
ALs ik het over "B" heb, dan heb ik het over mijn "theoretisch" nieuwe (*) component waarbij die SB verbinding is weggelaten en de B apart naar buiten is gebracht.
(*) Ik had er nog nooit van gehoord toen ik hem bedacht heb. Of ie echt nieuw is weet ik niet.