Pardon? Het is nog steeds een paartje emittervolgers, dus ze kunnen nooit tegelijk in geleiding zijn.
Als je pin 8 en 11 aan elkaar knoopt, is het wel handig om te laten zien wat er met pin 9 en 10 moet gebeuren (de emitters).
Ik zie niet in waarom het zin heeft om beide uitgangstransistors te gebruiken, aanzien de dode tijd 5% is; tegen de tijd dat die andere transistor in geleiding gaat, heeft het emitter-volger paartje met de 1k pull-up de MOSFET al uit geleiding getrokken.
EDIT wacht even, je hebt een N-channel MOSFET? Dat gaat natuurlijk niet! Die krijg je nu maar halfjes open, en dat is de reden dat het zo heet wordt, of je hebt hem andersom gezet, waardoor de body diode in geleiding staat. Je getekende plaatje klopt niet met de D en S die je erbij gezet hebt.
Om high-side te schakelen moet je een P-channel MOSFET gebruiken, of N-channel in combinatie met een driver die een spanning op de gate kan geven die boven de spanning op de drain (voedingsspanning) ligt. In dit geval zou je dat kunnen doen door de MOSFET drain met 12V te voeden, en de rest van de schakeling op 20V, maar het houdt allemaal niet over, aangezien je 6V nodig hebt om de MOSFET goed open te sturen, en je nog ongeveer 1V verlies in de transistors van de driver en TL494.
[Bericht gewijzigd door
SparkyGSX
op 31 oktober 2020 17:22:42
(24%)