gate aanpassing RD06HVF1 VHF power mosfet

De gate capaciteit van de RD06HVF1 power mosfet vertoont volgens de datasheet een reactantie van 25,6 ohm:

Betekend dit nu dat ik een inductieve reactantie van 25,6 ohm in serie met de gate moet zetten, zodat capacitieve en inductieve reactantie elkaar opheffen?

"tijd is relatief"
Frederick E. Terman

Golden Member

Als je dat zou doen, zou je 4,25 ohm 'ohms' als ingangsweerstand overhouden. Die moet je dan nog steeds met een of ander netwerkje aanpassen.

Gemakkelijker is het, dat dan in één keer te doen. Meestal met een L- of T-netwerk:

code:


--L1--+--L2--
      |
      C
------+------

L2 is meestal zo klein, dat hij wordt weggelaten. De zelfinductie van het laatste stukje printspoor is dan voldoende.
L1 wordt weleens in meerdere stukjes onderverdeeld om akelige parasitaire resonanties te vermijden.

Keramisch, kalibratie, parasitair: woordenlijst.org

Dus als ik het goed begrijp kan ik die capacitieve reactantie negeren en dus gelijk een netwerkje maken welke naar 4,25 ohm transformeerd.

"tijd is relatief"

Ha Martin V,

Let op niet je koppel condensator vergeten i.v.m. de bias je zou de eerste niet zijn ik spreek uit ervaring |:(

Groet,
Henk.

Everything should be as simple as possible, but not simpler.