hey,
Ik ben leerling in het 6e jaar elektronica te Menen. Als eindwerk maak ik een radiogestuurde auto (schaal 1/10). Nu heb ik op m'n printplaat een H-brug gemaakt van 6 mosfets. Ik gebruik logic-level mosfets omdat ik ze dan rechtstreeks kan aansturen met m'n µC. Ik gebruik een ECIO van 40 pinnen.
Ik gebruik V1 V2 V3 V4 om de draaizin van de motor in te stellen (zoals een simpele h-brug). V5 en V6 zijn samen aangesloten op het zelfde pwm signaal. Door het gebruik van 6 mosfets kan ik ook remmen op het 'ritme' van het pwm signaal.
Nu, mijn probleem is dat zelfs al stuur ik geen enkele mosfet, dat er toch sommige zeer warm worden. Zelfs al is m'n motor niet aangesloten. En als ik gewoon V1, V4, V5 en V6 actief maak, V3 en V2 niet actief maak, dan staat er maar 4,3V over de klemmen van m'n motor. terwijl m'n batterijspanning 7.2V bedraagt.
Ik vind de oorzaak tot nu toe niet. hopelijk kan iemand mij helpen.
PS: de mosfets die ik gebruik zijn van het type: STP22NF03L en mijn motor verbruikt ca. 2A en heeft een startstroom van ca. 10A
Alvast bedankt
Groetjes Bram
Een probleem die ik al zie is dat je je bovenste mosfets nooit zal kunnen open sturen. Je moet op de gate een spanning aanbrengen die hoger is dan de source (bij een logic level is 5V voldoende). Echter moet je de bovenste mosfets dan met een spanning van 7,2 + 5 = 12,2V aansturen. Dat is zowiezo een probleem die je eerst zal moeten oplossen.
ah zo. dat is nieuw. bedankt! Krijg ik dit opgelost door de bovenste 2 te vervangen door een transistor?
FullPower
De grootste moeilijkheden liggen daar waar we ze niet zoeken. [Goethe]
Is het plaatsen van twee AND-poortje niet simpeler i.p.v. de extra FETs met bijbehorende sturing??
FullPower
Op 29 november 2010 19:58:07 schreef brambo93:
ah zo. dat is nieuw.
Toch is dit min of meer begrijpelijk.
De stuurspanning voor de FET is de spanning tussen zijn gate en zijn source; de FET kan immers de nul niet zien, alleen zijn eigen aansluitingen.
Wil je dus de gate positief sturen, dan moet je bedenken dat dat is ten opzichte van zijn source.
Langs dezelfde weg kun je bedenken dat als een source juist aan een negatieve spanning (ten opzichte van nul) hangt, de FET toch kan opengestuurd worden als de gate nul krijgt. De gate zou dan immers positief ten opzichte van de source zijn.
Wat zijn alle spanningen, ten opzichte van jouw nul, als je 'geen enkele FET aanstuurt'? Wie weet is er iets dergelijks aan de hand.
Op 29 november 2010 20:01:43 schreef FullPower:
Is het plaatsen van twee AND-poortje niet simpeler i.p.v. de extra FETs met bijbehorende sturing??
dat is inderdaad ook een mogelijkheid. Daar had ik nog niet aan gedacht. Misschien kan ik daarop verder gaan.
Op 29 november 2010 20:08:17 schreef Frederick E. Terman:
[...]Toch is dit min of meer begrijpelijk.
De stuurspanning voor de FET is de spanning tussen zijn gate en zijn source; de FET kan immers de nul niet zien, alleen zijn eigen aansluitingen.Wil je dus de gate positief sturen, dan moet je bedenken dat dat is ten opzichte van zijn source.
Langs dezelfde weg kun je bedenken dat als een source juist aan een negatieve spanning (ten opzichte van nul) hangt, de FET toch kan opengestuurd worden als de gate nul krijgt. De gate zou dan immers positief ten opzichte van de source zijn.
Wat zijn alle spanningen, ten opzichte van jouw nul, als je 'geen enkele FET aanstuurt'? Wie weet is er iets dergelijks aan de hand.
Bedankt! momenteel heb ik daar geen metingen op uitgevoerd. Maar die ga ik met plezier eens uitvoeren. Meer info morgen.
Ik heb namelijk al een printplaat, in feite kan ik deze opnieuw teken en maken, maar ik zou liever deze nog behouden en er verschillende zaken op aanpassen (indien mogelijk). De oplossing om de bovenste 2 fet's te vervangen door transistors lijkt mij haalbaar. Een transistor heeft wel een spanningsverlies over zijn collector-emittor. Maar als het daarmee is opgelost, zou ik daar zeer tevreden mee zijn
of zie ik iets over het hoofd? 
pros
Prosper, yop la boum, c'est le roi du macadam (aldus Maurice Chevalier)
Neem dan wel PNP-torren, of je zit opnieuw met hetzelfde probleem. Die kan je niet rechtstreeks aansturen vanuit je µC, dus zo eenvoudig zal de aanpassing niet zijn.
Dan V5 en V6. Als je de sources van V2 en V4 samenknoopt, kan V5 het vandaar overnemen.
ja, zo had ik het eerst ook. maar het probleem is dan dat ik niet kan remmen met behulp van m'n pwm signaal. het is de bedoeling dat als ik zachtjes tegen de knuppel van m'n zender druk, dat de auto ook maar zachtjes remt. indien ik het doe met de sources van V2 en V4 samen en dan V5 als pwm, remt de motor direct bij het geleiden van V2 en V4.
--> wat houden die PNP-torren in? een beetje uitleg graag, daarover ken ik nog niks.
[Bericht gewijzigd door brambo93 op (11%)]
SparkyGSX
Een manager is iemand die denkt dat negen vrouwen in één maand een kind kunnen maken
Wat een PNP tor is, kun je zelf opzoeken, het heeft weinig zin onze tijd daar aan te verspillen.
Ik denk dat je MOSFETs heet worden omdat ze niet goed dicht gaan; probeer eens bij alle MOSFETs een weerstand (neem 1k of zo, als het kan nog kleiner) tussen de gate en de source te solderen, en te bekijken of het dan over is. Je moet het verschil ook kunnen zien aan de stroom door de brug.
Omdat de voedingsspanning vrij laag is (7.2V) zou je ook alle N-channel MOSFETs kunnen laten zitten, en de stuursignalen voor de bovenste MOSFETs kunnen verhogen naar zo'n 12.5V. Je moet dan dus wel eerst weer een hulpvoeding maken, dus echt handig is dat ook niet.
Je kunt de bovenste MOSFETs beter vervangen door P-channel types, waarvan de je gate met een weerstand naar de source trekt (die nu aan de 7.2V voeding zit), en met een open-collector naar de ground om ze open te krijgen.
De gate aansturing van de middelste MOSFETs is ook niet echt netjes zo; als de onderste MOSFET spert, gaat de source van die middelste omhoog, en gaat die ook sperren. Zodra je de onderste aanstuurt, komt die source weer omlaag, waardoor de MOSFET weer open gaat (de spanning op de gate blijft constant).
Er is een goede reden dat je bijna nooit een brug zult vinden waar op deze manier 6 MOSFETs gebruikt worden; het is niet handig! De recirculatiestromen moeten nu ook door de diodes van de MOSFETs, waardoor deze veel warmer worden dan nodig is. Je kunt prima gecontroleerd remmen met maar 4 MOSFETs, dat doet de rest van de wereld ook.
bedankt! ik leer bij!
dus een h-brug met 4 fet's is haalbaar.
is dit dan een betere oplossing? (er staan wel nog geen waarden bij)
pros
Prosper, yop la boum, c'est le roi du macadam (aldus Maurice Chevalier)
Dat is doenbaar. Neem R1 en R2 niet te groot als je snel wil omschakelen. En vervang V1 en V2 door kleine MOSFET's (BS170 of zo). Het inschakelen van Q3 of Q4 zal snel gebeuren. Maar bij het uitschakelen zal een bipolaire transistor zijn tijd nemen om uit verzadiging te gaan. En daarnaast moet de pull-up weerstand de gate-capaciteit opladen.
ok. Ik ga dus met deze schakeling verder (proberen) te doen. bedankt voor je uitleg en je leesvoer
ik laat jullie wel nog weten hoe het verder veloopt. want al deze componenten heb ik niet direct liggen, dus moet ik daar terug achter. en ook een meetopstelling maken.
wordt vervolgd!
bedankt voor al jullie info!
rew
four NANDS do make a NOR . Kijk ook eens in onze shop: http://www.bitwizard.nl/shop/
Nog een tip: Zorg dat je de boel achter een stroombegrenzing zet. Dus als je motor max 1A kan trekken, zorg dat ie niet meer dan 1.1A kan gebruiken in het begin. Als je programma verkeerd is, stuur je signaal 3 en 4 tegelijk actief, en heb je twee kapotte FETs.
P.S En bijvoorbeeld voor testen kan je best een 1ohm weerstand gebruiken als stroombegrenzing. Max nog maar 6V over je 1A motor, maar slechts max 7A als je de boel kort sluit.
[Bericht gewijzigd door rew op (26%)]
Henry S.
Moderator
Confucius says chà bù duo. Deze post is niet door ChatGPT gegenereerd. De 2019 CO labvoeding.
move /schoolvragen
Met bijbehorende FAQ.
hey,
bedankt allemaal voor jullie hulp!!
ik deed vanmiddag testen op m'n nieuwe h-brug. en ik kan jullie met veel plezier meedelen dat deze perfect werkt! 
bedankt!