aansturing mosfet

Hoi allen,

Ik ben nieuw op dit forum en wil jullie om hulp vragen.

Met een sbRIO creeer ik een PWM-signaal (minimaal 10kHz), hiermee wil ik een mosfet schakelen. Mijn belasting word een spoel. In het artikel op deze site over mosfets heb ik al gezien dat je dan een beveiliging nodig hebt, daarnaast schakelt de mosfet met 24V ipv de 3.3V die uit de RIO komt, dit signaal moet dan ook nog versterkt worden.

Omdat ik mijn kennis op het gebied van analoge elektronica zeer beperkt is wil ik graag wat uitgebreidere uitleg hoe ik mosfet kan aansturen (zonder dat die stuk gaat). Kunnen jullie helpen?

Groeten,
Michaël

Lambiek

Special Member

Ten eerste welkom op het forum,

Als je het artikel gelezen hebt, zou je moeten weten hoe je een beveiliging kan maken, staat er in.

Het beste kan je een gate driver voor je fet zetten, bijv. een IR4427. De IR4427 wordt aangestuurd uit je sbRIO (wat dat ook wezen mag) en de driver schakelt je fet. Dan heb je nog een vrijloop diode nodig, die zet je over je spoel.

Kijk nog maar eens naar het artikel. :)

Onder gebruik, en daar staat bij voorbeeld_1 hoe je de fet kan beveiligen met een diode over de spoel.

En bij verdere ontwerpen staat een blokschema met een driver, MCU met driver.

Als je haar maar goed zit, GROETEN LAMBIEK.

Bedankt voor de snelle reactie

Ik heb het artikel wel gelezen en heb ook al gekeken voor een gate driver, alleen in de voorbeeld schakelingen staan nog meer componenten, extra weerstanden en condensatoren. De vraag is of ik die schakeling helemaal moet nabouwen of dat de gate driver dat allemaal al doet.

De IR4427 schakeld wel maar 20V, is dat hoog genoeg voor een 24V geschakelde mosfet? Zelf heb ik de TC4431 gevonden deze kan van 4.5 tot 30V.

Valt onze toepassing onder hoge frequentie en zouden we een RCD beveiliging nodig hebben of volstaat een enkele diode?

Lambiek

Special Member

Je hoeft geen 24V op de gate van de fet te zetten, sterker nog dat mag niet.

Vertel eerst eens wat voor type fet je gaat gebruiken.

Als je haar maar goed zit, GROETEN LAMBIEK.

MOSFET: IRFB3307Z
Hoe dient deze aangestuurd te worden? Gate to source voltage is ±20V volgens de datasheet.

Arco

Special Member

Je kunt een andere fet nemen, bijv. de BUK964R2-80E. (is wel een D2PAK/TO263/SOT404)
Die kan met 3.3v worden aangestuurd...

Arco - "Simplicity is a prerequisite for reliability" - hard-, firm-, en software ontwikkeling: www.arcovox.com
Lambiek

Special Member

Hier heb je een voorbeeld.
http://www.uploadarchief.net/files/download/resized/voorbeeld%20aansturing%20mosfet.jpg

Waar is het eigenlijk voor als ik vragen mag.

Op 22 oktober 2015 14:58:51 schreef Arco:
Je kunt een andere fet nemen, bijv. de BUK964R2-80E. (is wel een D2PAK)
Die kan met 3.3v worden aangestuurd...

Persoonlijk heb ik het niet zo op die logiclevel mosfets, zeker niet als je een beetje vermogen moet schakelen.

Als je haar maar goed zit, GROETEN LAMBIEK.

Beide dank voor de input.

In de fet's zit al een zener-diode, maakt dat iets uit?

We willen een soort weegschaal maken waarbij de massa van een voorwerp bepaald wordt uit de benodigde magnetische kracht om de zwaartekracht op te heffen. Hiervoor moet het punt geregeld worden waarbij het voorwerp net niet word aangetrokken.

Lambiek

Special Member

In de fet's zit al een zener-diode, maakt dat iets uit?

Dan is het nog verstandig om de vrijloop diode te plaatsen. Dat moet wel een snel schakelende diode zijn, dus geen 1N4007 of zo. En de diode moet de stroom aan kunnen die er loopt.

Is het eigenlijk een schoolvraag? Niet dat het nu nog iets uitmaakt.

Als je haar maar goed zit, GROETEN LAMBIEK.

Dat bestaat al, Mettler-Toledo heeft zo'n loadcell in productie, op basis van magnetische kracht compensatie. Ik meen me te herinneren dat ze daar 3 miljoen delen oplossend vermogen mee konden halen (in ieder geval waanzinnig hoog). Kost wel een paar centen.

Een manager is iemand die denkt dat negen vrouwen in één maand een kind kunnen maken
Henry S.

Moderator

Op 22 oktober 2015 15:27:16 schreef Lambiek:
Is het eigenlijk een schoolvraag? Niet dat het nu nog iets uitmaakt.

Vermoedelijk een stageopdracht (=school).

73's de PA2HS - ik ben een radiohead, De 2019 CO labvoeding.

Op 22 oktober 2015 17:13:04 schreef SparkyGSX:
Dat bestaat al, Mettler-Toledo heeft zo'n loadcell in productie, op basis van magnetische kracht compensatie. Ik meen me te herinneren dat ze daar 3 miljoen delen oplossend vermogen mee konden halen (in ieder geval waanzinnig hoog). Kost wel een paar centen.

Verkeerd topic?

Ben Belg sowat :D :: plaatjes zijn meestal klikbaar

In figuur 1 van de datasheet van www.irf.com kan je aflezen dat bij een VGS van 4,5V en een drainstroom van 20A een spanningsval tussen de Drain en Source 20V is. Bij een stroom van 10A staat er tussen drain en source een spanning van (een beetje interpoleren/schatten, logaritmisch) 0,2V. Zie onderste zwarte lijn.

Volgens mij lees ik af 30A bij 20V, maar goed. Dat zijn "typical" getallen en juist deze waardes zullen behoorlijk van exemplaar tot exemplaar kunnen verschillen. De conclusie moet zijn dat het ding bij 4.5V gatespanning (waar je van uit moet gaan als je er 5V op probeert te zetten), het niet goed genoeg doet voor 10, 20 of 30A.

Waarom link je naar de homepage van IRF en niet naar http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfs3307zpbf.pdf ?

four NANDS do make a NOR . Kijk ook eens in onze shop: http://www.bitwizard.nl/shop/

Sorry, afleesfoutje van mij. (30A is correct)
TS refereert naar een datasheet. Een extra verwijzing vond ik niet nodig, maar ik gaf wel aan dat ik die van IRF gebruikt heb. Volgende keer post ik de gehele link. Dat is ook wel handig voor andere CO'ers.

@Damic

We willen een soort weegschaal maken waarbij de massa van een voorwerp bepaald wordt uit de benodigde magnetische kracht om de zwaartekracht op te heffen

Een manager is iemand die denkt dat negen vrouwen in één maand een kind kunnen maken