Op vrijdag 9 augustus 2024 18:25:05 schreef ohm pi:
[...]Je kan de zener en weerstand R1 vervangen door een weerstand van 12k.
Of je zet in serie met de zener een weerstand van 1kΩ. Misschien trapt je simulatieprogramma daar in.
Sowieso stuur je de gate zonder zener nogal hoogohmig in, dus echt snel schakelen zit er niet in en er wordt veel warmte in de MOSFET geproduceerd.
Met de 33K die er eerst zat gaat het direct al mis. Deze melding betekent meestal dat er ergens iets gesneuveld is. Vreemde is dan weer wel dat i.d.d. niet de mosfet sneuvelt op de Vgs die duidelijk te hoog is.
Op vrijdag 9 augustus 2024 14:03:14 schreef douwebakker:
[...]
Dag Harry, ik vond op youtube een serie filmpjes over energie transitie. Wat mij betreft een aanrader. Ik denk dat je hier veel van kan opsteken. https://www.youtube.com/watch?v=f7oXhDatwtY&list=PLUl4u3cNGP62UTc7…
Douwe
Dank. 
Op vrijdag 9 augustus 2024 22:12:59 schreef harry64:
Vreemde is dan weer wel dat i.d.d. niet de mosfet sneuvelt op de Vgs die duidelijk te hoog is.
Het is een simulatieprogramma!
De gesimuleerde onderdelen zijn een wiskundige benadering van de werkelijke onderdelen, dus een Vgs van 300V kan een MOSFET prima hebben.
Probeer in je model maar eens 50A door een 1N4148 te sturen. Gaat prima zonder enige foutmelding. In het echie springen de brokken diode in het rond.
Dat begrijp ik. Ik vind het alleen opmerkelijk dat zoiets wat in eerste instantie al tot een defect zou moeten leiden er zo ongemoeid toch doorkomt.
Het scheelt mij i.i.g. heel veel echte vliegende brokjes diodes e.d.
Ik vind het ook gewoon leuk om samen met de andere CO'ers hier dit soort zaken te verkennen.
SparkyGSX
Een manager is iemand die denkt dat negen vrouwen in één maand een kind kunnen maken
Een simulatie programma verteld je doorgaans niet of een onderdeel heel zal blijven, want dat hangt ook af van factoren zoals koeling, waar het programma geen informatie over heeft. Het is een hulpmiddel, en het is aan jou als ontwerper om dat hulpmiddel correct te gebruiken.
fatbeard
Honourable Member
Een goed begin is geen excuus voor half werk; goed gereedschap trouwens ook niet. Niets is ooit onmogelijk voor hen die het niet hoeven te doen.
Harry, je hebt mail.
@fatbeard Gezien.
Met spoel e.d. zit ik nu dus op een regelbare buckdown converter/inverter volgens mij. I.i.g. kwam ik tot dit (eind)resultaat. De componenten zijn wel hernummerd omdat er gaandeweg veel bijkwam en weer af ging. Wat nu R1 is, is i.g.g. toegevoegd om inrush problemen te omzeilen, daar liep de sim o.a. op stuk. En er is met R6 en C3 een soort dempertje op de uitgang mosfet en ingang spoel toegevoegd om spur te onderdrukken. D2 is een 5W 15V zener die nu ook de gate van de fet beschermd. Q2 is weer een BD159 (500V Uce en Ucb) geworden omdat die de schakelspanningen van >300V aankan. De fet BS170 kan dat niet en een IRF840 vind ik een beetje overkill. Ik wil nog wel gaan uitzoeken of ik dit ook met de IRF840 in N-fet Highside voor elkaar kan krijgen.
rew
four NANDS do make a NOR . Kijk ook eens in onze shop: http://www.bitwizard.nl/shop/
Mag ik even in de groep gooien wat ik van plan ben "als ik eens tijd heb"...
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/ucc38c55.pdf?ts=1723396201935&re…
Met een "externe mosfet" DCDC controller een step-up bouwen. Kijk even naar het typical application op p1.
Er zijn dan een paar wijzigingen die ik wil doorvoeren:
* ipv de spoel een trafo. Ongeveer 1:10 o.i.d. (nader te bepalen) en dan de weinig wikkelingen als de spoel in het typical application
schakeken. De secondary gaat dan bij de diode verder.
* een geschikte terugkoppeling om veel hogere uitgangsspanningen te kunnen doen.
De netscheiding is dan direct geregeld via de laagspanningsvoeding waar je de boel mee voedt. Daar kan je dan ook een standaard labvoeding voor gebruiken om de beschikbare energie voor ongelukken te beperken.
Er moet nagedacht worden of de secondaire andersom kan. Volgens mij als je dat doet, zal de boel van heel weinig tot heel veel regelbaar kunnen zijn.
Verder is deze controller omdat ie zo langzaam is mogelijk niet de beste. Misschien wil je richting 2-10x sneller schakelen.
Om dit geen "topic kaap" te laten zijn is mijn voorstel: Als harry het een idee vind om op verder te gaan, dan gaan we hiermee verder en staat het idereen vrij om hier commentaar op te geven, als harry door wil met zijn eigen plan, dan geeft hij dat aan, maar dan is de vraag aan iedereen om commentaar op mijn plan te bewaren voor als ik dan tzt m'n eigen topic open...
@Harry64, ben je gestopt met je pre-stabilisatie voeding discussie? Ik zou dat spijtig vinden. Je moet niet opgeven hoor. En rew kan wel een nieuw topic starten voor zijn plannen.
Douwe
Nee, niet gestopt. De 10Ω Rson van de gebruikte P-fet ging opspelen. Daarom wilde ik jouw IRF840 N-fet gaan gebruiken in Highside. Dat had even wat voeten in aarde. Uiteindelijk toch voor elkaar gekregen. In de Sim i.i.g.
Ik wilde hem tot 'uiterste' drijven, Dus bij deze van 320V DC naar 15V DC @1A
Ik wilde ook nog de spoel verkleinen naar 100µH i.v.m. verkrijgbaarheid maar loop dan tegen de limits van i.i.g. de LM339 (1µS) aan geloof ik. Tevens probeer ik te doorgronden hoe dat zit met welke factoren bepalen hoeveel energie er in een spoel opgeslagen kan worden.
@REW, de andere kant op is ook leuk om te doen. Was ik wel even mee bezig geweest maar wil nog niet zo. De fet eindigt steeds als 'kookplaat'. Over je 'spoel' die je wilt gebruiken: Een SMPS trafo 'omgekeerd) uit een (sloop) PC of TV voeding zou bruikbaar moeten zijn. Ik zie jouw topic met genoegen verschijnen.
In je voorgaande schema's zag ik op de + ingang van je opamp een terugkoppelnetwerk van 100k en 1k. Die zie ik hier niet. Toch oscilleert het.
Hoe kan dat?
In het echie zal je vast wel voor verrassingen komen te staan, maar ik zie ze zo gauw niet.
Dat ie oscilleert komt door de spoel van 47nH en elco van 220uF. Die spoel is inmiddels 10mH. Met 100u tot 1mH werkt het ook alleen gaat er dan veel meer vermogen in de mosfet zitten. En met 100uH kan de LM339 het niet bijbenen qua puls en frequentie.
De hysteris is er uit opdat er dan veel minder rimpel op de uitgang staat en dat de 'ON' puls dan veel smaller kan worden.
[Bericht gewijzigd door harry64 op (20%)]
Na enig 'klooien' in de sim, blijkt dat de aansturing van de N-fet er nogal toe doet. In ieder geval blijkt stuurspanning 'lenen' uit de spanning vóór de mosfet tot gevolg te hebben dat die niet hoog genoeg is om demosfet met een puls volledig open te sturen. Daardoor is de Rdson hoger dan haalbaar is met de mosfet. In geval met de IRF840 blijft die 4V gate t.a.v. source. Met een degelijkere sturing van 10V gate t.a.v. source gaat de mosfet wel geheel open (of dicht, maar net vanaf welke kant je het bekijkt ) en wordt de Rdson van 0.8Ω gehaald wat aanzienlijk scheelt in dissipatie, grote spoel en te gebruiken frequentie. Onderstaand het opstart gedrag gedurende 10mS met nu nog even een sim pulsgenerator.
Ik moet nu twee dingetjes nog verder uitwerken. Dat is een degelijke highsidedriver voor de gate en een zaagtand generator van 50kHz. Die zaagtand voer ik aan de 339 die daar dan een passende PWM-puls van kan maken middels de 0-10V stuurspanning.
Bij deze het stukje Highside sturing. De DC-prik voor de sturing iets verhogen afgekeken van de DC-thyristor schakelaar. De sim heeft wel z'n handjes vol aan deze simulatie. De 10mS duurde iets van ongeveer 20 minuten.
MGP
LDmicro user.
Ik hoop dat ik goed wakker ben en denk dat je willekeurig de waarden kiest voor de weerstanden zonder enige berekening.
Kijk eens hoeveel stroom er loopt telkens als V2 naar de GND schakelt.
Vsource, stroom gaat door D4 -> R1 -> Q3(eb) -> R3 -> GND.
e:/ alles in serie = 0.7v -> 4.7Ω -> 0.7v -> 10Ω -> GND
Een sim geef je het gevoel dat alles kan, enkele componenten invoegen, daar dan de virtuele scoop eraan en hopen dat het beeld goed is, maar zo werkt het niet.
Q3 hangt niet aan GND maar aan de source. De hele gate-sturing is 'zwevend' t.a.v. GND. D4 is een zener van 15V die de Vgs binnen de waarde van de mosfet moet houden. Die 10Ω in de sturing van Q2 en Q3 is omdat een hogere weerstand de puls minder scherp maakt.
Ook de 'hulpvoeding' met D1, D3, C1, C3, die aan source en V1 hangt, zweeft mee.
MGP
LDmicro user.
Op donderdag 22 augustus 2024 10:03:23 schreef harry64:
...
Ook de 'hulpvoeding' met D1, D3, C1, C3, die aan source en V1 hangt, zweeft mee.
Een 'hulpvoeding' die aan de regulaire voeding ligt zweeft niet, daarvoor heb je een aparte voeding nodig en dat zie ik hier niet.
Was het maar zo makkelijk om een HSP voeding te maken 
Op donderdag 22 augustus 2024 10:03:23 schreef harry64:
D4 is een zener van 15V die de Vgs binnen de waarde van de mosfet moet houden.
Al maak je de voeding zwevend, hoeveel stroom gaat Q2 te verwerken krijgen als die geschakeld wordt, denk je?
e:/ heb er een tekening bijgevoegd.
Ging i.d.d. niet werken zoals bedoeld. Ik verlaagde de stuurpuls naar 5V en toen bleek dat de transistoren helemaal niets doen. Het pulsje ging via de BE van de NPN tor direct naar de gate. Kan ook niet anders want Q2 is als emittervolger geschakeld. 
Nog ff verder puzzelen dus.
MGP
LDmicro user.
Ik denk dat een regeling met thyristoren nog altijd de eenvoudigste oplossing is niettegenstaande enkele nadelen.
In deze LT1083.pdf op blz14 zie je die ook.
Leerzaam linkje.
Vraagje:
Hoe zit dat met spoelen qua energieopslag? Is het net als met elco's en Farad, dat hoe meer Henry's hoe meer energie er in opgeslagen kan worden?
De energie die je in een spoel kan opslaan is 0,5 x L x I2 Joule.
In deze formule komt geen maximum hoeveelheid energie voor.
Wel zie je dat bij gelijke hoeveelheid energie in de spoel met de hoogste zelfinductie de kleinste stroom loopt.
Ik tracht te vatten hoe b.v. 300V@500mA (150W) naar 15V@10A (ook 150W) tot stand komt in zo'n step-down. Er zijn natuurlijk verliezen in de praktijk in de vorm van weerstand in de spoel, fet's, C's e.d. Dus ik begrijp wel dat 100% rendement niet haalbaar is. Echter een rendement van 95% is al abracadabra op dit moment. Tot nu toe wist ik dat je energie (tijdelijk) in een elco kan opslaan. Dat dit ook in een spoel kan is nieuw voor mij. Van een elco begrijp ik het proces min of meer qua laden en ontladen. Die spoel ontgaat mij echter tot nu.
MGP
LDmicro user.
Bij omzetters voor die hoge spanningen worden bijna altijd trafo's gebruikt, veel praktischer.
Als je de werking van een spoel nog niet volledig onder de knie hebt is een Dc DC converter ontwerpen toch iets te hoog gegrepen denk ik...maar je hebt een simulator die je kan helpen.
Er staan veel filmpjes op het internet die uitleggen hoe een DC DC converter werkt en begin in uw sim met een lagere spanning bv 12V in -> 5V uit.
Als je hier op CO de zoekfunctie gebruikt kun je ook al veel lezen.
Dank MGP en ohm pi.
Hoewel een deel nog niet duidelijk is voor mij weet ik ondertussen wel dat de kwaliteit high side driver belangrijk is om de n-fet goed in geleiding te sturen. Dat het voor de high side driver er toe doet om daarin fets te kiezen met een zo laag mogelijke gate capaciteit.
Tevens dat als je een -hogere spanning @ lager ampèrage gaat omzetten naar lagere spanning @ hoog ampèrage, de diode(s) die het vermogen terug geleiden een zo laag mogelijke geleiding moeten hebben. Deze kunnen ook vervangen worden voor een p-fet met een lage RdsOn, het is mij alleen nog niet gelukt daar een significante verbetering mee te fabrieken.
I.i.g. heb ik nu op een lagere spanning (30V) het e.e.a. aan de gang. De opzet is gemaakt met het idee dat 1 300Wp PV paneel 1 LifePo4 cel laadt met +/- 75A @ 3.6V waar het PV paneel dus max 30V @ 10A zou kunnen leveren.
D1, D2, C1, C2 maken met de 30V voeding en de schakelpiek van de fet ongeveer 46V die nodig is om de n-fet goed high side te schakelen met een gate spanning die 10V boven de voeding op de drain komt. De gate van de schakel-fet wordt beschermd door zener D3 11v@5W.
De high side schakel puls voor Q3 wordt gemaakt met Q1 en Q2 in een push-pull opzet. Die worden op hun beurt weer gestuurd met Q4.
D4 t/m D7 staan parallel voor een beter rendement aan de hoge stroom.
MGP
LDmicro user.
Op dinsdag 27 augustus 2024 01:05:09 schreef harry64:
Die worden op hun beurt weer gestuurd met Q4....
Tijdelijk... met 30V op de gate
e:/ ik weet niet wat je daar gemaakt hebt, jij waarschijnlijk ook niet 
maar er is geen enkele terugkoppeling, wat er op de uitgang staat 'weet' je dus niet.
Btw, leer eens gestruktureerd tekenen dan zul je zelf sneller zien wat er eventueel mis is.
[Bericht gewijzigd door MGP op (12%)]