Maar is er enig verband tussen de forward en reverse recovery time? Gaat de een ten koste van de andere of zo? Aangezien de forward recovery time vaak niet wordt opgegeven, zou het handig zijn als je dat een beetje zou kunnen afleiden uit de parameters die wel opgegeven worden.

Bij testopstellingen zie ik, zoals gezegd, vaak nog pieken van 50-60V over snelle Schottky diodes, met mijn bijna 40 jaar oude 80MHz Tektronix scope (die het overigens nog prima doet). Ik vraag me dan wel af hoe ver die piek werkelijk gaat, aangezien er wel een aanzienlijk stuk boven de bandbreedte van de scoop zou kunnen liggen.

Is er een methode om die piekspanning te meten, behalve vreselijk snel sampelen?

Verder heb ik ook niet echt een eenduidig antwoord gezien of zo'n 1N4007 voldoende is bij kleine spoelen (relais en kleine DC / stappenmotoren). Heeft dat nog wel zin?

Op 16 mei 2009 15:41:29 schreef SparkyGSX:
Zelf probeer ik de recirculatie altijd zoveel mogelijk buiten de voeding om te doen, en soms zet ik een crowbar over de voeding (met een zekering in serie met de voeding) om de schade te beperken als het dan toch mis gaat.
Ik heb ze nog niet vaak nodig gehad, en een crowbar is eigenlijk gewoon lomp, maar ik vind het vaak wel een fijn gevoel om zoiets achter de hand te hebben, vooral als het om een dure voeding en een hoop andere elektronica gaat.

Wel, een crowbar is daarom nog niet zo'n heel slecht idee, die zijn heel snel bij de pinken (pakken sneller als een zekering) en heeft zijn toegevoegde waarde. Toch bij experimenteren.

Ik merk dat ik zo langzamerhand een aardige collectie nuttige application notes en dergelijke begin te verzamelen, ik wou dat ik die informatie eens snel en gemakkelijk, "matrix-style" kon downloaden naar de grijze massa.

Heehee, ik ken het gevoel. Een mens krijgt dan zoveel interessants bijeen dat je door het bos de bomen niet meer ziet. Ik kan je wel een truuc verklappen hoe ik het probeer te doen: als ik een aantal application notes heb doorgelezen over hetzelfde onderwerp, dan probeer ik in het kort op te schrijven wat van belang is, de kern, waarmee rekening gehouden moet worden. Een klein verhandelingetje zeg maar, waar je later weer kan op terugvallen en even opfrissen.
Als je het nog niet weet: International Rectifier heeft vele van deze waardevolle AN's als dit onderwerp je interesseert. Hun site, in de zwarte kop op "technical library" gaan staan en application notes kiezen. Dit is de huidige lijst, maar ergens ertussen staat nog een link naar hun app.notes. archief, of hier de link, daar staat veel echt bruikbaars bij MOSFETs en IGBTs. Soit.
Er zijn fabrikanten genoeg waar je waardevolle ANs kan vinden over vanalles, zoals National, ST, ON, Analog Devices, enz.

Op 16 mei 2009 15:55:41 schreef rbeckers:
Dit soort zaken wordt vergeten of verwaarloosd. Net zoals een hoop andere zaken.
Meestal is het: er staat 0,7V over en maximaal kan die diode x A aan.

Dat klopt. Maar bij wat snellere circuits komen de effecten op de proppen. En wat ik ook niet helemaal terecht vind is dat fabrikanten toch sommige belangrijke parameters uit hun datasheets strippen. Forward recovery time is daar één van zoals ik zo direct nog zal uitleggen.

Nog een voorbeeld van wat men soms verwaarloost of weglaat: een Schottky diode is snel. Das half diode, half metaal door haar halfgeleider/metaal overgang. Das de uitleg. Maar wat er nog gevolgen van zijn: een ferm toenemende sperstroom met de temp., ze zijn door hun opbouw niet te maken voor hoge sperspanningen, en ze hebben een hogere capaciteit juist door hun dunnere sperlaag. Ze kunnen wel snel uitschakelen, maar ook zo snel inschakelen? Kweet nie, ik heb het nog niet gemeten maar ik heb er wel even twijfels bij.

Verder, de Free heeft zijn eitje ook gelegd, was weer een zeer grondige uitleg waar ik weer dingen van opgestoken heb. Free: nog efkens het volgende zeggen over die nodige snelle overgang van geleiding naar sper: ik heb ooit eens iets gelezen dat ze dat ook nog op een ander manier deden, door 2 pulsbronnen op elkaar te superponeren. De eerste levert een positieve puls en houdt die aan, de tweede levert daarna nog een grotere negatieve, die in serie in totaal ook een negatieve spanning oplevert. Daarmee doken ze zeer snel van geleiding naar sper. Soit.

Op 16 mei 2009 16:48:17 schreef SparkyGSX:
Maar is er enig verband tussen de forward en reverse recovery time? Gaat de een ten koste van de andere of zo? Aangezien de forward recovery time vaak niet wordt opgegeven, zou het handig zijn als je dat een beetje zou kunnen afleiden uit de parameters die wel opgegeven worden.

Free zei het ook al, neen dus. We zullen er een vb. bij halen, van notabene ST die wel braafjes forward recovery times opgeeft in sommige datasheets.

Datasheet BYT 01
Datasheet STTA1212D

2 datasheets, van een snelle 1A/400V diode en ene van 12A/1200V. We zien dat hun reverse recovery times liggen op 55ns bij di/dt van -15A/µs voor de BYT en 50nS bij een di/dt van -50A/µs voor de STTA. Dus de reverse recovery time ligt in dezelfde orde, weliswaar bij een factor 3 verschil in di/dt.
Bij de forward recovery time wordt het gekker: 60ns bij een di/dt van 50A/µs voor de BYT en 900ns(!) bij 96A/µs voor de STTA. Das ineens een groot verschil, terwijl de di/dt maar een factor 2 meer verschillen.
Het is een beetje een scheve vergelijking, door de verschillende stromen in het spel, maar ik heb met opzet een kleine en een grote diode vergeleken om een ogenschijnlijk dezelfde reverse recovery tijd te laten uitdraaien op totaal verschillende forward recovery tijden.
Verder staat er ook nog de piekspanning bij bij forward recovery, das 9.5V(!) bij de BYT en 40V(!!) bij de STTA. Das die piek die Free beschreef.

Verder is het een beetje koffiedik kijken als de fabrikant ze niet opgeeft en je zelf geen heel snelle metingen kan doen, dat is zo.

- - big bang - -