Dat is dus het probleem: de specs van de body diode zijn vaak veel afwezig.
Dus moet je wat schatten met de getallen die je wel hebt. Dus: bij 100ms pulsen mag je 15J aan energie in je FET duwen. Tjakka, dat weten we dan weer. Dit is opgegeven als "bij 1V doorlaat, 100ms 15A" in de SOA grafiek.
Voor de diode zitten we echter met veel heftigere problemen om z'n eigenschappen te schatten. Als er bij 20A 1.3V opgegeven staat, is "1V" schatten door mij natuurlijk veel te laag(*). En er is geen grafiek voor de body diode, en indien toch, houdt dat natuurlijk veel te vroeg op.
Dus: 1V forward voltage is veel te laag, en waarschijnlijk moet je rekenen op iets als: 600mv + 25mV * ln (I/I0) + Ii * R. I0 kan je een mA voor nemen of zo. Maakt niet zo veel uit. De Ii kan je schatten uit de Vfmax die als 1.3 wordt opgegeven. Als er dan inderdaad een paar honderd ampere zou gaan lopen, zit je al snel aan 10V over de diode.
Maar goed. Er valt dus wel wat te schatten en rekenen aan deze "mishandeling" van de mosfets. Na mijn experiment kan ik narekenen dat we inderdaad de specs van de tor overschrijden. Zelfs een wat heftigere tor gaan we buiten de specs.
De situatie met de FET is niet zo verschillend als die met de diode. De diode van bram kan je in de specs vinden dat ie "even" 500A moet kunnen hebben, maar wat voor forward voltage ie dan heeft, staat er weer niet bij. En ik kan me niet herinneren dat er een grafiek in staat met de max-tijd tegen de stroom...
(*) En ik weet redelijk of ik schattingen nog naar boven of naar beneden moet bijstellen. Als ik daar "10-12V" zou schatten mag ie nog wat naar beneden, als ik daar 1V schat mag ie nog wat omhoog. Maar aangezien de berekening met een te lage schatting al uitkomt op: "Dan gaat ie kapot", hoef ik niet te gaan nadenken over hoeveel ik de boel nog moet bijstellen naar boven.
[Bericht gewijzigd door rew op donderdag 28 augustus 2014 15:05:22 (11%)