Silicon IC-substraten liggen doorgaans op de meest negatieve spanning van een gehele IC-die en dat is hier het geval.
Ompolen van de substraat spanning staat gelijk aan forward biasing van de substraat-junctie en het opblazen daarvan, zinloos.
Ja natuurlijk, substraat = Vee normaal gesproken. Ik dacht dat je de situatie van Frederick wou nadoen in LTspice.
Ja hoor eens, ík begon niet over dat substraat-aan-nul. 
Maar ik merk dat mijn argument misschien niet helemaal begrepen is. De schemasituatie die ik beschrijf is verre van denkbeeldig. Hij komt voor in schakelingen met een symmetrische voeding: daar werken de 'onderste' torren in een negatief gebied t.o.v. nul.
Als je dán in de sim het substraat modelleert compleet mét diodeovergang (tussen substraat en collector, bij de voor NPN normale verticale geometrie1), krijg je mijn 'bug'.
Neem bijvoorbeeld de 'Blameless Amplifier', een bekend voorbeeld van een klassieke audioversterker (bron staat in het schema).
klik=groter Simetrix
Zoals in de meeste modellen, zijn ook hier de substraatdiodes niet gedeclareerd in de modellen van de gebruikte transistors; ISS is dan default nul.
Zouden we die diodeovergang zomaar toevoegen, dan komen de MPSA06's onder in het schema in de problemen. Vooral Q4 zou een enorme stroom gaan trekken, en de versterker zou niet meer versterken. In de sim althans.
In het echt werkt alles normaal, omdat in het echt het substraat niet aan de nul hangt.
(Als het beslist nodig zou zijn de SC-diode te modelleren, dan kan dat wel als je het vierpolige symbool gebruikt, of door de netlist aan te passen.)
--
1Ik heb gemerkt dat je in het BJT-model met SUBS=1 dan wel -1 kunt kiezen voor laterale resp. verticale opbouw. In het eerste geval vormt het substraat een diodeovergang naar de collector (default voor NPN), en in het tweede een overgang naar de basis (default voor PNP). In de modelbeschrijving vind ik hem niet.
Je audio amp circuit is altijd simuleerbaar (met BJT's met of zonder substraat) wanneer de -37V in het schema in de simulatie aan GND (node 0) wordt gelegd, de GND in het schema aan 37V in de simulatie wordt gelegd en de 37V in het schema aan 74V in de simulatie wordt gelegd.
Dit is analoog aan het mijn eerdere voorbeeld.
Ja, natuurlijk kun je de schakeling optillen. Dat is ook het punt dat mijn eerdere post trachtte te maken: omhoog doet de SC-diode sperren in de sim; omlaag, geleiden.
Voor de zekerheid zou je altijd alles boven op een 1kV-spanningsbron kunnen zetten.
Maar nogmaals: ik was het niet die over het substraat in de sim begon. Maar, eenmaal daarop gebracht, was het leuk om even na te lezen hoe en wat, en wat dingen uit te proberen om achter de 'quirks' van SPICE te komen; en zo ook meteen het punt van @rew te bevestigen.
Intussen blijkt dus het eenvoudig niét definieren van de SC-diode, zoals bij alle gewone BJT-modellen ook inderdaad niet gedaan wordt, wel de meest praktische oplossing. Vandaar blijkbaar dat daarvoor gekozen is.