Wat is DIT?

Op 15 juli 2005 20:10:23 schreef Henry S.:
[...]
En wat heeft het met de .pdf te maken?

Sorry ik zag pas later dat in de pdf file de type aanduiding ook wordt gebruikt voor led's

wacht ik heb hem open gemaakt en een fototje van gemaakt

zo als ik het zie zijn de twee pinnen "verbonden" naar de massa/behuizing van dat ding.

nee .de linkerkant is de collector , de rechterkant ( dat draadje van het cente naar de rechtse poot ) is de basis
en het substraat is de emittor

alst een pnp is dan liggen emittor aan de linke poot en collector aan de metalen behuizing

Op 15 juli 2005 20:24:40 schreef Fire_IC:
wacht ik heb hem open gemaakt en een fototje van gemaakt

[afbeelding]

zo als ik het zie zijn de twee pinnen "verbonden" naar de massa/behuizing van dat ding.

Heb je geen meter?

Op 15 juli 2005 20:34:45 schreef Henry S.:
[...]
Heb je geen meter?

Ja wel heb hem ook door gemeten. Van het ene pootje naar het andere pootje = 150 Ohm. Draai ik de meetdraden om dat meet ik 50 Ohm. Dus een diode is het volgens my niet.

Ik wil er ook wel stroom op zetten en hem testen als een transistor maar dan moet ik wel weten welk pootje welk is en of het een NPN of PNP is

Op 15 juli 2005 20:31:17 schreef free_electron:
nee .de linkerkant is de collector , de rechterkant ( dat draadje van het cente naar de rechtse poot ) is de basis
en het substraat is de emittor

alst een pnp is dan liggen emittor aan de linke poot en collector aan de metalen behuizing

IK WEET HET NU!!
Het is volgens mij toch een PNP transistor waarbij de emittor inderdaad de linker poot is en de rechter poot de base.

Heb hem zo getest en het werkte. :):):):)

nu alleen nog effe testen hoveel ampare dat hij kan hebben.
hij is tenslotte een groot ding en ik heb er nog 37 dus....
ééntje kan wel voor de fun:)

Houdt met een paar Amps wel op...

als het een tip kan zijn, traag aan stroom opdrijven, want in 3 seconden naar 20 A, en dan een knal wil niet zeggen dat ie 20A kan he - als ie een kwartier bvb 250mA kan, en dan uitgaat als een kaars die op is, dan is dat dus de absolute grans - denk dat 200 mA dan veilig zou moeten zijn

tis ontiek dus als je ze gebuikt niet teveel opvoeren he

[kon het niet laten om iets aan een eens iets anders topic toe te voegen ]

1 seconde Google had geleerd dat dit een 2N277 germanium transistor is. 049 is fabriek specifieke aanduiding.

http://ed-thelen.org/1401Project/BobEricksonIBM-Transistor-Substitutio…

De 2N277 is een PNP 70W 40V germanium power tor. Huidige verkoopprijs via een brooker ±$13,-
http://www.electronicsurplus.com/ccp76775-pnp-germanium--70w-40v-to-36…

http://www.americanmicrosemi.com/information/spec/?ss_pn=2N277

ah zo, wees gelukkig, je bent 481 € rijker geworden

IK WEET HET NU!!
Het is volgens mij toch een PNP transistor waarbij de emittor inderdaad de linker poot is en de rechter poot de base.

ziedewel : k'had het toch gezegd !
twas er direct aan te zien. die ring is de emittor het centercontact is de basis en het substraat de collector.
so werden transistoren ( die is een van de eerste planaire transistors. het bestaa uit een stukje P materiaal wat achteraan verguld wordt ( via sputtering : het verdampen en laten neerslaan van gouddamp op silicium). daarbovenop komt ne stukje inert ( ongedopeerd materiaal) daar wordt een fotolaag opgelegd en belicht zodat er een ring bloot materaal ontstaat. dat wordt in een oven gedopeerd, fotolak eraf daarnaa ook via sputtering gemetalliseerd (aluminium.) nieuwe lak erop en belichten zodat interne pad ontstaat. etsen ( aluminium wat bloot is weg zodat inert meteriaal dar komt bloot te liggen en op bieuw doperen in de oven ( herder deze keer )

dus zo beginnen we:

a =aluminium
i = intrinsiek materiaal
p = p materiaal
n = n materiaal
g = goud
l = lak

IIIIIIIIIIIII
IIIIIIIIIIIII
PPPPPPPPPPPPP

dan lak erop belichtne en ontwikkelen

    LLLL
IIIIIIIIIIIII
IIIIIIIIIIIII
PPPPPPPPPPPPP

doperen

    LLLL
PPPPIIIIPPPPP
IIIIIIIIIIIII
PPPPPPPPPPPPP

lak eraf en metalliseren

AAAAAAAAAAAAA
PPPPIIIIPPPPP
IIIIIIIIIIIII
PPPPPPPPPPPPP

lak erop en ontwikkelen

LLLL    LLLLL
AAAAAAAAAAAAA
PPPPIIIIPPPPP
IIIIIIIIIIIII
PPPPPPPPPPPPP

etsen

LLLL    LLLLL
AAAA    AAAAA
PPPPIIIIPPPPP
IIIIIIIIIIIII
PPPPPPPPPPPPP

opnieuw doperen mar nu met N

LLLL    LLLLL
AAAA    AAAAA
PPPPNNNNPPPPP
IIIINNNNIIIII
PPPPPPPPPPPPP

waar er nog lak lag zit het dopeermateriaal 
in de lak. als je de lak verwijdert is het
daar weg en ligt er terug bloot aluminum

AAAA    AAAAA
PPPPNNNNPPPPP
IIIINNNNIIIII
PPPPPPPPPPPPP

we sputteren opniew alu

AAAA    AAAAA
AAAAAAAAAAAAA
PPPPNNNNPPPPP
IIIINNNNIIIII
PPPPPPPPPPPPP

de krater komt omdat we plaatselijk 2 
lagen hebbn door dubbel sputteren
(er lag er al ene )

lak belichten en onwikkelen

AAAA LL AAAAA
AAAAAAAAAAAAA
PPPPNNNNPPPPP
IIIINNNNIIIII
PPPPPPPPPPPPP

en etsen

     LL      
AAAA AA AAAAA
PPPPNNNNPPPPP
IIIINNNNIIIII
PPPPPPPPPPPPP

lak eraf , guoud op de achterkant ,
poten eraan en transistor is klaar.
       B     C
_C__ __/_____/
AAAA AA AAAAA
PPPPNNNNPPPPP
IIIINNNNIIIII
PPPPPPPPPPPPP
GGGGGGGGGGGGG--- E

de collector is ringvormig om effectieve oppervlakte tevergroten en dus meer stroom aan te kunnen.

voila nu kan je zelf transistoren maken in je garage.
wie laat mij foto's zien van zijn experimenten . hahah grapje

als je oi een transisto wilt layouten download dan LASI dat is een open source programma om chips en transistoren mee te ontwerpen. de GDS-II stream die er uit komt kan zo in een waferfab worden geprocesesd ( GDS-II is de 'gerber' van de chip wereld )

[Bericht gewijzigd door free_electron op zaterdag 16 juli 2005 00:06:58 ]

nu hoor ik vaak dat je onderdelen niet open moet zagen ivm. een gevaarlijk oxide wat vroeger gebruikt werd als warmte geleider in transistoren.
en jullie adviezeren hem zo´n antiekje open te zagen?

Op 15 juli 2005 23:58:28 schreef The Headhunter:
nu hoor ik vaak dat je onderdelen niet open moet zagen ivm. een gevaarlijk oxide wat vroeger gebruikt werd als warmte geleider in transistoren.
en jullie adviezeren hem zo´n antiekje open te zagen?

HF-vermogenstorren nooit open zagen!

klopt. BerylliumOxide heet dat spul. maar in dit ding zit het er niet in.

hard en wit keramisch materiaal. als je t'in voldoende dosis( en ze is zeer klein ) inademt sterf je binnen de 2 a 3 uur. (verstikking : je longblaasjes gaan kapot. dit in tegenstelling tot arseen waar je bloed de mogelijkheid om zuurstof te transporteren verliest. ) bij arssen helpt bloedtransfusie. bij beryllium alleen longtransplantatie .... het is verschrikkelijke smeerlapperij en wordt niet meer gebruikt ( werdt trouwens ook niet vele gebruikt alleen in bepaald heel speciale RF trnsistoren omdat het zeer goede is0lator en warmtegeleider is ) de componentne waar het inzit dragen trouwens allemaal een biohazard symbool

ach koop je toch gewoon weer een nieuw zaagje

Mooie uitleg free_electron! (van de planaire transistor)

[Bericht gewijzigd door Henry S. op zaterdag 16 juli 2005 00:05:26 ]

seg maar vraagje ik heb een oud boekje over transistoren (circa 1958) nu hebben ze het daar over Germanium en Silicium. maar ze zeggen daar dat germanium beter eeigenschappen heeft. waarom is dit dan nu allemaal silicium. uiteindelijk heeft germanium maar 0.3v spanningsval en silicium 0.7v
is silicium dan toch beter?

Op 16 juli 2005 03:37:02 schreef beertje_01:
seg maar vraagje ik heb een oud boekje over transistoren (circa 1958) nu hebben ze het daar over Germanium en Silicium. maar ze zeggen daar dat germanium beter eeigenschappen heeft. waarom is dit dan nu allemaal silicium. uiteindelijk heeft germanium maar 0.3v spanningsval en silicium 0.7v
is silicium dan toch beter?

Er bestaan slechts enkele materialen die in aanmeking komen om transistoren te maken, de zgn halfgeleiders. Het zeldame en dus dure metaal Germanium was de eerst gebruikte halfgeleider.(eigenlijk waren er enkele voorlopers die enkel als diode konden gebruikt worden, nl de Galene puntcontactdetector en de selenium gelijkrichters.) Met de toenmalige techniek kon men nog geen andere halfgeleiders produceren. Silicium, dat veel goedkoper is en het hoofdbestanddeel is van zand en glas, heeft een zeer hoog smeltpunt en was bijzonder moeilijk te maken in de vereiste zuiverheidsgraad. Daarom hebben ze ook pas enkele tientallen jaren later de Germaniums verdrongen. Als je beiden vergelijkt,dan heeft germanium veel betere hf eigenschappen door de grotere mobiliteit van de ladingsdragers. En een kleinere drempelspanning. De lekstroom is echter beduidend groter en de maximum temperatuur is een stuk lager. De eigenshappen van de transistoren zijn bij silicium veel beter te beheersen. De transistoen van een bepaald type wijken onderling veel minder af. Eens de siliciumtechnologie op punt stond, werden de hf eigenschappen steeds beter en door nieuwe constructies van de chips haalden ze op de duur germanium in. Bij silicium is tenslotte het maken van zeer complexe geintegreerde schakelingen mogelijk, bij germanium niet. Zo helde de balans op de duur volledig over in het voordeel van silicium. Voor heel speciale toepassingen is germanium echter terug van weggeweest!! Er bestaan voor datatransport over glasvezel speciale optische "radio" mixers. Het optische signaal wordt aan een soort niet lineair halfgeleiderelement toegevoerd , tesamen met een laserbron als lokale oscillator. De verschilfrequentie
is enkel GHz. Dit middenfrequent kan dan met klasieke electronica verder verwerkt worden. Hiervoor gebruikt men terug germanium.Door een speciale legering zijn de zwakke punten voor een groot deel weggewerkt en kan men volop van de betere hf eigenschappen profiteren.

Voor heel speciale toepassingen is germanium echter terug van weggeweest!!

Is voor zeer hoge frequenties nu niet juist GaAs in gebruik? Daar is lijkt mij dan Arseen de halfgeleider. Gallium zal dan vermoedelijk in relatief hoge mate als dope gebruikt zijn.

Op 16 juli 2005 00:04:10 schreef free_electron: .... BerylliumOxide...
<snip>
..de componentne waar het inzit dragen trouwens allemaal een biohazard symbool...

Niet allemaal.
BeO werd al gebruikt in de jaren 60 in zendbuizen en zelfs in halfgeleider isolatie-onderlegringen.
Ik heb er zelf op de plank liggen *zonder* biohazard symbool.
BeO is in vaste vorm niet gevaarlijk, slechts de poedervorm is extreem gevaarlijk.
Zeer kleine concentraties zorgen niet direct voor problemen, maar op de lange duur kan er een ziekte ontstaan, te vergelijken met longemfyseem.
Dit is een zeer slopende en progressieve ziekte, met uiteindelijk de dood tot gevolg.

Maar het zou me verbazen indien het in deze transistor voor zou komen.

Op 16 juli 2005 13:41:08 schreef jojo:
[...]
Is voor zeer hoge frequenties nu niet juist GaAs in gebruik? Daar is lijkt mij dan Arseen de halfgeleider. Gallium zal dan vermoedelijk in relatief hoge mate als dope gebruikt zijn.

arseen is geen halfgeleider. het is het dopeer element. gallium in combinatie met arseen vormt een halfgeleider.
gallium alleen is geen halfgeleider.

voor snelle technologieen wordt soms ook SiGe techniek gebruikt. hier wordt op silicium alleen de gate struicturen in germanium aangebracht. die transistoren zijn razendsnel. ( RF techniek op 10+ GHz )

Op 16 juli 2005 17:05:42 schreef free_electron:
[...]
arseen is geen halfgeleider. het is het dopeer element. gallium in combinatie met arseen vormt een halfgeleider.
gallium alleen is geen halfgeleider.

Dacht ik eerst ook. Maar om te checken wat mogelijke dope elementen zouden zijn, ging ik even op zoek naar het periodiek systeem.
Daarbij uitgaande van dope elementen zullen wel 'naast' de halfgeleiders staan, was ik even verrast door arseen geboekt te zien staan als semi-condutor.

Verder zoekend zag ik ook dat beide als dope gebruikt worden. Maar de combi is blijkbaar een halfgeleider. Waar doteren ze GaAs dan weer mee als ze b.v. N materiaal willen hebben? Voegt men meer Ga to of weer heel andere elementen?

gallium arsenide is N materiaal. er wordt P in geschoten via een Boor implantaat.

als dopeermaterialen worden alleen de volgende 4 gebruikt
Antimoon , Boor , Fosfor en Arseen.

Halfgeleidende materialen : Silicium , Germanium en geloof het of niet ... Tin ! ( tinoxide dan wel te verstaan ) en GalliumArsenide.

fosfor arseen en boor zijn 5 waardig en leveren elektronen ( N materiaal )
Boor is 3 waardig en levert 'gaten' ( P meteriaal )

bij leds kan je ook gaan knoeien door er indium , aluminium of stikstof in het kristalrooster te schieten ( nitride )

GaAs = gallium arsenide
GaN = Gallium Nitride
inGaN - indium-gallium nitride ( blauwe leds )
InGaAlP = Indium Gallium Aluminum Phosfide ( witte leds )

transistoren en ics ( behalve SiGe's en GaAs zijn ) altijd met de eerste 4 dopanten.

Op 16 juli 2005 13:41:08 schreef jojo:
[...]
Is voor zeer hoge frequenties nu niet juist GaAs in gebruik? Daar is lijkt mij dan Arseen de halfgeleider. Gallium zal dan vermoedelijk in relatief hoge mate als dope gebruikt zijn.

Ja en nee, GaAs wordt idd gebruikt om versterkerelementen in het GHz bereik te maken en ook voor LEDS.
Arsenicum is geen halfgeleidermaar een metalloide. En Gallium ook niet, dat is een metaal.
Arsenicum heeft valentie 5 en Gallium 3.
Galliumarsenide is echt een verbinding, chemisch gezien een zout.Maar het heeft halfgeleidende eigenschappen. Men noemt het een 3-5 verbinding. Wat ik bedoel is dat Germanium terug aan een opmars bezig is, maar voorlopig voor heel speciale toepassingen.(optische SDH add-drop multiplexers voor data rates van 10 GB/sec)