testman
waar rook was, werkt nu iets niet meer
problemen met gekoppelde fet's is afhankelijk van het gebruik .
in een ups van 3000 watt zitten er ook een 12 parallel en dat gaat goed .als je dan de datasheet leest blijkt dat 1 al de stroom kan hebben , en is het voor betrouwbaarheid . maar een ups is ook aan en uit steeds . een fet is gewoon moelijk te gebruiken om stroom weg te stoken . ik heb ook een omvormer gemaakt met 4 fets en was 1200 watt op 24 volt , en er liep een 65 ampere volbelast , en de fets gingen alleen stuk bij koud starten , inschakelvertraging erin en altijd goed gebleven . kwam ook door de lastrafo als omzetter .
en er zit ook een bc640 in per fet en een diode en 2 weerstanden 10 ohm en 47 ohm in bijv victron omvormers . dat is de schakeling die het mogelijk maakt dat niet 1 fet overstuurd wordt .
ik heb iets soortgelijks gemaakt op mijn stage.
Wat specs moesten zijn:
0 tot 40 volt.
0 tot 10A
modulatie ingang
250 watt max
RS232 uitleesbaar (accu-ontlaad karakteristiek)
instelbare R, I en P
Hoe heb ik dat opgebouwd? Net zoals mathieuke elke mosfet zijn eigen regelkring. Of je moet elke mosfet appart koelen (zoals eerder gezegt: de egalisatie) of je zult elke mosfet zijn eigen regelkring moeten geven.
Die regelkring bestaat uit een opamp die via een laag ohmige shunt de spanning meet en die zijn uitgang (gate mosfet) zo insteld dat de andere ingang gelijk is aan de spanning over de shunt.
In feite gewoon een regelbare stroombron.
Let wel, een mosfet mag een hoop hebben, maar als de temperatuur stijgt dan word te te dissiperen vermogen een stuk lager. En zeker omdat het wel eens mogelijk zou zijn dat de boel eens flink heet zou kunnen worden moet je echt best veel marge nemen.
In praktijk bleek dat de mosfets bij 50 watt al kaduuk gingen. Mosfets vind ik tot nog toe alleen in to220 (zullen er vast ook wel groter zijn) maar dat beperkt je dan aangezien je dan toch een redelijke thermische weerstand hebt naar je koelblok toe.
uiteindelijk heb ik gebruik gemaakt van IGBT's
De die regelkringen staan parallel aan elkaar en wordt via een DAC bestuurd. Die DAC word met hoge snelheid aangestuurd omdat je binnen no time de boel wilt regelen. Bij R en P heb je nog wel eens een rimpel op de voeding, en die wil je natuurlijk mee nemen. Daarom wordt de boel met 1KHz aangestuurd.
Spanning wordt gemeten met een ADC. en ook de stromen door de igbt's worden gemeten (ter controle) Dat betekent gewoon een simpele sommator aan die shunts knopen. Let wel, bij het meten van die spanning maakte ik een grove meetfout. Ik had intern de spanning gemeten, maar eigenlijk zou dit een vierpunts meting moeten zijn. Want de overgangsweerstanden van de connectoren naar buiten zijn dermate hoog dat dat je instelling erg in de war schopt. Tip dus voor de nieuwe bouwer.
Zeker van belang is dat je temperatuur in de gaten houd van de igbt's. Ik had keurig even een NTC'tje geplakt aan de niet onderbemeten geforceerde koeling. De eigenschap van mosfets (igbt's ook?) is dat ze volledig gaan geleiden als ze overbelast zijn. Wat je dan krijgt is dat het geheel dan een kortsluiting vormt voor de DUT. Afzekeren kan daar ook niet tegenop omdat een accu dat zelf al kan begrenzen.
En als laatste de RS232 poort. Elke seconden ff alle meetwaardes doorsluizen, dan kun je een mooie grafiek maken in excel van je accu. Erg handig.
even wat foto's:
voorkant:
achterkant:
binnenkant:
close-up powerstage:
Op 23 september 2009 20:19:01 schreef Mathieuke:
Ik wil hier toch eventjes tegen Henry.s zijn kar inrijden want ik ben het helaas niet eens met Henry. Het parallel schakelen van meerdere MOSFETS is niet zo eenvoudig als hij doet uitschijnen.
Waar refereer jij naar?
Tenminste niet iets uit dit topic... Zo kan ik er niet op ingaan.
Op 23 september 2009 20:19:31 schreef pros:
Maar bij een schakeling als deze wordt geen enkele FET helemaal in geleiding gestuurd. De opamp regelt de stroom door ze slechts gedeeltelijk open te sturen. En (nu gok ik maar wat) misschien geleidt de ene FET bij een gate-spanning van bv. 3V veel beter dan de andere, en is dit verschil veel groter dan bovengenoemde
Daar moet je ivm de spreiding selecteren op gelijke eigenschappen, en natuurlijk een zekere marge inbouwen.
Ik refereer naar volgende stukje tekst van u :
Op 7 november 2006 21:13:51 schreef Henry S.:
Gelijkloop lossen we natuurlijk op met 'die' emitterweerstanden.
Dat gaat over bipolaire transistors, het woord emitter had al een hint kunnen zijn misschien toch?
[Bericht gewijzigd door Henry S. op (46%)]
@VWG3JB: Ziet er mooi uit! Zoiets wil/ben/heb ik ook gemaakt, werkt alleen nog niet zoals het zou moeten. btw je hebt een foutje in de berekening van je vermogen of je display waarden worden niet gesynchroniseerd geupdated...
@RedTiger ik denk dat dit komt omdat hij een meetfout maakt (zoals hij zelf al aangeeft)en dit niet ligt aan de update rate van t display
(i) omdit op te lossen is een omrekenfactor in je µController te zetten die de spanningsval van je meet kabels opheft een optie, of zoals hij aangeeft een 4 punts meeting te gebruiken.
Nog even terug komend op mijn "simple" versie.
Load kan varieren tussen 1Ω en ∞
Deze werkt goed, echter als ik het volgende wil bereiken
moet ik het 2x opbouwen, dit vind ik te prijzig, daarom graag jullie inzicht is het mogelijk om dit op een slimme manier te combineren?
Op 24 september 2009 09:33:22 schreef Brooks86:
@RedTiger ik denk dat dit komt omdat hij een meetfout maakt (zoals hij zelf al aangeeft)en dit niet ligt aan de update rate van t display(i) omdit op te lossen is een omrekenfactor in je µController te zetten die de spanningsval van je meet kabels opheft een optie, of zoals hij aangeeft een 4 punts meeting te gebruiken.
ik heb al wat correcties in de software zitten, de stroom is nog een probleem.
De ADC heeft al een correctie nodig die niet linear is. en de sommator gooit roet in het eten.
Ik kan natuurlijk doodleuk zeggen van als ik mijn DAC op x instel, dat ik zeker weet dat de stroom waarde x heeft. Maar dat is niet realistisch genoeg stel je voor een regelkring valt uit, dan heb ik gewoon de waarde in mijn display staan terwijl de echte stroom afname lager is.
Daarom gewoon duidelijk in het scherm wat er nu precies word gedaan.
setpoint is daarom niet hetzelfde als P, maar P is wel de vermenigvuldiging tussen I en U.
Op 24 september 2009 10:29:51 schreef Brooks86:
Nog even terug komend op mijn "simple" versie.
Load kan varieren tussen 1Ω en ∞Deze werkt goed, echter als ik het volgende wil bereiken
moet ik het 2x opbouwen, dit vind ik te prijzig, daarom graag jullie inzicht is het mogelijk om dit op een slimme manier te combineren?
maak er even een lichte integrator van, anders gaat de boel stuiteren.
1 ohm leuk voor lage stromen, je kunt ook geen lage spanningen testen.
je 2e schakeling snap ik niet.
@VWG3JB als ik t goed begrijp ligt jou probleem dus in het meten van de stoom, die meet je neem ik aan door de spanning over je shunt te meten.
Omdat deze zeer laag is moet je deze misschien versterken met een zeer goede opamp (SNR) en later in software weer delen.
Over mijn reactie, er moet idd wat aan de regeling gebeuren. (intergrator is een optie) de twee afbeelding geven de weerstanden waar ik mijn active load zou willen hebben.
Graag zou ik 1 actieve load willen bouwen die ik zowel als pull-up/down zou willen gebruiken.
Hopelijk is t zo duidelijk 
Op 24 september 2009 10:31:51 schreef VWG3JB:
[...]
setpoint is daarom niet hetzelfde als P, maar P is wel de vermenigvuldiging tussen I en U.
Dat bedoelde ik ook eigenlijk. Bij mij is 3,25 * 31,34 = 101,8...
Op 24 september 2009 11:29:55 schreef RedTiger:
[...]
Dat bedoelde ik ook eigenlijk. Bij mij is 3,25 * 31,34 = 101,8...
101,855=101,9 ja... ik zou even niet weten hoe dat zou komen. Misschien dat het een afrondingsfoutje is. of de correctie staat op de verkeerde plek.
Wieweet staat de correctie na het printen van het vermogen op het scherm. Dan krijg je verkeerde waardes op het scherm.
Op 24 september 2009 00:19:01 schreef Henry S.:
Dat gaat over bipolaire transistors, het woord emitter had al een hint kunnen zijn misschien toch?
Ik heb ergens een vergissing gemaakt dan, ik dacht dat uw reactie een reactie was op het schema die gepost werd en in dat schema stonden er MOSFETS, daarom dus mijn reactie 
De volgende keer beter lezen
Misschien een domme vraag, maar waarom hangen we (en ik zelf ook) de shunt weerstand in de source in plaats van in de drain, een mosfet heeft het liefst een vaste spanning aan zijn source, dus waarom niet de volgende oplossing, heb hem alleen nog maar gesimuleerd
Wie heeft hier een ander idee over?
omdat je dan ten opzichte van de nul meet wat de rest van het circuit aanzienlijk makkelijker maakt.
Voor de meting maakt het niet uit.
@RedTiger, ik ga ervan uit dat jij bedoeld dat je nul als een harde waarde kunt zien, en dat op mijn 12V ruis en dergelijke op kan zitten waardoor mijn meting beïnvloed wordt?
Nee, meten tov de nul is in principe eenvoudiger uit te voeren.
Brooks86, wat een rare manier om een regelcircuit toe te passen. Hoe weet je dan precies welke stroom er door uw schakeling vloeit? Je meet op die manier immers gewoon de Drain-Source spanning, op die manier kan je toch niet echt een goede regeling uitwerken?
Als je de weerstand in de source plaatst en dan meet, weet je telkens welke stroom er vloeit bij welke spanning. Zoals je het nu doet moet je telkens de volgende bewerking uitvoeren (12V-Uds)/R, wat denk je zelf dat er eenvoudiger is?
SparkyGSX
Een manager is iemand die denkt dat negen vrouwen in één maand een kind kunnen maken
@Brooks86: als je de opamp een zwevende voeding geeft, die met de onderkant van de sense weerstand mee kan gaan, kun je het ding als een soort serieregelaar gebruiken, en dus aan de hoge of lage kant van een voeding zetten.
Ik vraag me alleen even af wat het effect is van de sense weerstand aan de source van de MOSFET; als de spanning over die weerstand onder de referentie komt, zal de opamp zijn uitgang laten stijgen, en daarmee de gate omhoog trekken, om te compenseren. Hierdoor zal de spanning over de sense weerstand stijgen, waardoor de source dus ook stijgt, en de gate-source spanning minder wordt. De opamp zal dit moeten compenseren door zijn uitgang nog iets verder omhoog te trekken. Dit is (als ik me niet vergis) een vorm van negatieve feedback, waardoor de hele regeling stabiel zal blijven. (denk ik...)
@SparkyGSX Idd jou uitleg over de sense weerstand in de source is helemaal goed. ik weet alleen niet of dit een negatieve feedback is.
Mijn doel om de sense weerstand in de drain te plaatsen is de mosfet beter te laten werken, zoals ik al eerder heb gepost wil de mosfet volgens mij t liefst een vaste spanning op zijn source.
Maar voor mijn toepassing (actieve load) maakt het niet uit of ik hem in de drain of source zet. Ben het idd met mathieuke eens t is moeilijker te implementeren.
Belangrijkste doel van mij is om een mijn mosfet zo goed mogelijk aan te sturen i.v.m. levens duur.
SparkyGSX
Een manager is iemand die denkt dat negen vrouwen in één maand een kind kunnen maken
Die MOSFET "weet" helemaal niet waar bij source, drain of gate op aangesloten is, hij "weet" alleen van de onderlinge spanningsverschillen zijn. Een MOSFET "wil" dus helemaal niet perse met zijn source aan de ground zitten.
Zolang de spanning over de sense weerstand niet groter wordt dan de voeding van de opamp min de spanning die je nodig hebt om de MOSFET goed open te sturen, is er weinig aan de hand.
Ik heb eens een simulatie gedaan destijds rond het schema om de stabiliteit te controleren en dat soort schema's blijken zeer stabiel te zijn. Ik heb er geen geen praktische meting op gedaan, enkel maar een simulatie.